Ббк 22 379 г20 удк 537 311 33 (075). Ферромагнитная пленка

Ферромагнитная плёнка - это... Что такое Ферромагнитная плёнка?

Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978.

• Ферромагнин
• Ферромагнитный резонанс

Смотреть что такое "Ферромагнитная плёнка" в других словарях:

• ферромагнитная плёнка — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ферромагнитная жидкость — на стекле под воздействием магнита под стеклом. Ферромагнитная жидкость (ФМЖ, магнитная жидкость …   Википедия

• Магнитная плёнка-визуализатор — Плёнка показывает магнитные полюса магнита на холодильник. Полюса темнее, края полюсов светлее. Магнитная плёнка визуализатор используется, чтобы показать стационарные, или …   Википедия

• feromagnetinė plėvelė — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ferromagnetic film — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ferromagnetischer Film — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• film ferromagnétique — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ферромагнетизм —         одно из магнитных состояний кристаллических, как правило, веществ, характеризуемое параллельной ориентацией магнитных моментов (См. Магнитный момент) атомных носителей магнетизма. Параллельная ориентация магнитных моментов (рис. 1)… …   Большая советская энциклопедия

dic.academic.ru

Ферромагнитная плёнка — с русского

См. также в других словарях:

• ферромагнитная плёнка — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ферромагнитная плёнка —         см. Магнитная тонкая плёнка …   Большая советская энциклопедия

• Ферромагнитная жидкость — на стекле под воздействием магнита под стеклом. Ферромагнитная жидкость (ФМЖ, магнитная жидкость …   Википедия

• Магнитная плёнка-визуализатор — Плёнка показывает магнитные полюса магнита на холодильник. Полюса темнее, края полюсов светлее. Магнитная плёнка визуализатор используется, чтобы показать стационарные, или …   Википедия

• feromagnetinė plėvelė — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ferromagnetic film — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ferromagnetischer Film — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• film ferromagnétique — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ферромагнетизм —         одно из магнитных состояний кристаллических, как правило, веществ, характеризуемое параллельной ориентацией магнитных моментов (См. Магнитный момент) атомных носителей магнетизма. Параллельная ориентация магнитных моментов (рис. 1)… …   Большая советская энциклопедия

translate.academic.ru

ферромагнитная плёнка — с русского на французский

См. также в других словарях:

• ферромагнитная плёнка — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ферромагнитная плёнка —         см. Магнитная тонкая плёнка …   Большая советская энциклопедия

• Ферромагнитная жидкость — на стекле под воздействием магнита под стеклом. Ферромагнитная жидкость (ФМЖ, магнитная жидкость …   Википедия

• Магнитная плёнка-визуализатор — Плёнка показывает магнитные полюса магнита на холодильник. Полюса темнее, края полюсов светлее. Магнитная плёнка визуализатор используется, чтобы показать стационарные, или …   Википедия

• feromagnetinė plėvelė — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ferromagnetic film — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ferromagnetischer Film — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• film ferromagnétique — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ферромагнетизм —         одно из магнитных состояний кристаллических, как правило, веществ, характеризуемое параллельной ориентацией магнитных моментов (См. Магнитный момент) атомных носителей магнетизма. Параллельная ориентация магнитных моментов (рис. 1)… …   Большая советская энциклопедия

translate.academic.ru

ферромагнитная плёнка — с литовского

См. также в других словарях:

• ферромагнитная плёнка — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ферромагнитная плёнка —         см. Магнитная тонкая плёнка …   Большая советская энциклопедия

• Ферромагнитная жидкость — на стекле под воздействием магнита под стеклом. Ферромагнитная жидкость (ФМЖ, магнитная жидкость …   Википедия

• Магнитная плёнка-визуализатор — Плёнка показывает магнитные полюса магнита на холодильник. Полюса темнее, края полюсов светлее. Магнитная плёнка визуализатор используется, чтобы показать стационарные, или …   Википедия

• feromagnetinė plėvelė — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ferromagnetic film — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ferromagnetischer Film — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• film ferromagnétique — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ферромагнетизм —         одно из магнитных состояний кристаллических, как правило, веществ, характеризуемое параллельной ориентацией магнитных моментов (См. Магнитный момент) атомных носителей магнетизма. Параллельная ориентация магнитных моментов (рис. 1)… …   Большая советская энциклопедия

translate.academic.ru

§ 11 5 ферромагнитные пленки

§ 11.5. ФЕРРОМАГНИТНЫЕ ПЛЕНКИ

В последнее время тонкие ферромагнитные пленки находят все большее применение в вычислительной технике и радиоэлектрон ных устройствах. Причина заключается в том, что ферромагнитные пленки обладают высокой скоростью изменения намагниченности при сравнительно малой мощности управляющих цепей. Кроме то го, в этих пленках практически отсутствуют вихревые токи вплоть до СВЧ-диапазона. Ферромагнитные пленки обладают широким интервалом рабочих температур, от —100 до +100" С.

Наибольшее применение в технике находят магнитные пленки, созданные на основе таких ферромагнетиков, как железо, кобальт,

236

ниель. Ферромагнетиками называют такие твердые тела, которые обладают свойством спонтанной намагниченности, т. е. намагниченности, сохраняющейся и при отсутствии внешнего магнитного поля, корме перечисленных металлов к ферромагнетикам относят многие их сплавы.

Спонтанную намагниченность ферромагнетиков объясняют следующим образом. Атом вещества обладает механическим и магиит-ных моментами, которые складываются из орбитальных и спиновых моментов электронов. Могут существовать состояния, в которых механический и магнитный моменты скомпенсированы, т. е. полный момент атома равен нулю. Но у некоторых веществ типа железа, кобальта, никеля магнитные моменты небольшого числа

У ферромагнетиков в элементарной ячейке атомные элементарные магнитные моменты ориентируются параллельно друг другу. Такая структура устанавливается самопроизвольно. В процессе формирова-ния ферромагнитного кристалла в нем возникает большое количество блоков с однородной самопроизвольной намагниченностью. Эти блоки называют домена-

Намагничеиность двух соседних доменов, как правило, противоположная, а у поверхностных доменов направление намагниченности перпендикулярно направлению намагниченности доменов в объ-еме кристалла (рис. 11.1).

Между доменамиг расположены переходные слои, называемые

доменными стенкамн. Конфигурация доменов и доменных стенок

ферромагнетиков определяются из условий минимума их внутренней энергии. В случае объемного кристалла минимуму энергии соосветствует струкгура, состоящая из большого числа доменов.

Внутри каждого из этих доменов все спины удерживаются в одном

направлении большими обменными силами. Внутри стенок измеие-

ние направленин спинов осуществляется поворотом вокруг оси,

перпендикулярной плоскости стенки.

Магнитные тонкие пленки отличаются по своим свойствам от

соосветствующих массивных магнитных материалов. Во-первых, в

противоположность внутренним электронным спинам, поверхностные спины находятся в структуре с наиболее низким порядком

симметрии, так как они имеют «соседей» только со стороны пленки.

Во вторых, расположение атомов в нескольких слоях, ближайших

к подложке, зависит от природы подложки -и температуры осаждения пленки. В качестве подложек обычно используют пластины

из стекла или кварца — аморфных материалов, поэтому они не мо-

гут существенно влиять на кристаллическую структуру пленок.

237

Однако дефекты поверхности подложек будут оказывать влияние на расположение атомов в ближайших к подложке слоях. Свобод­ная поверхность пленки под действием окружающей среды может оксидироваться, что также влияет на свойства пленок.

Реальная тонкая ферромагнитная пленка состоит из множества доменов. Домены намагничены до насыщения, т. е. в доменах спи­ны всех электронов располагаются параллельно. Намагниченность пленки определяется намагниченностью отдельных доменов (век­торной суммой намагниченностей), поэтому она может принимать значения от нуля до некоторого максимального значения, когда пленку можно считать состоящей из одного большого домена.

Тонкая пленка представляет собой не вполне упорядоченную зернистую структуру. Намагниченность пленки стремится ориенти-

роваться вдоль определенного направле­ния, называемого направлением легкого намагничивания. Направление, вдоль ко­торого труднее всего намагнитить плен­ку, называют направлением трудного на­магничивания. Наибольшее применение в технике находят пленки с одноосной анизотропией. У тонких пленок имеется одно преимущественное направление намагниченности, обычное совпадающее с их плоскостью. Одноосная анизотропия создается в процессе изготовления плен­ки путем приложения постоянного магнитного поля, параллельного плоскости подложки. Ось легкого на­магничивания образуется в направлении приложенного поля.

Физическими параметрами магнитных пленок являются: намагниченность, постоянная магнитной анизотропии, коэрцитивная си­ла и прямоугольность петли гистерезиса в направлении оси легко­го намагничивания.

Намагниченность l — это плотность магнитного момента, обусловленного вращением электронов вокруг их собственной оси и направленного вдоль оси вращения электрона:

где М — магнитный момент среды, равный векторной сумме магнитных моментов всех атомов, заключенных в объеме V.

Намагниченность увеличивается с возрастанием напряженности внешнего магнитного поля (нелинейно) и достигает насыщения (рис. 11.2).

Магнитная анизотропия обусловлена анизотропным характером взаимодействия между элементарными носителями магнитного момента. Большинство тонких пленок состоит из одного большого домена, намагниченность внутри которого направлена вдоль оси легкого намагничивания. Этот домен окружен по краям пленки небольшими доменами с противоположным направлением намагниченности. В зависимости от способа получения пленки, конфигура-

238

ция доменов может быть самой различной; клинообразной, типа шахматной доски.

В тонких пленках, толщина которых во много раз меньше тол­щины доменной стенки, не могут создаваться стенки, плоскости которых параллельны поверхности пленки. Стенки имеют разнооб­разную форму; спиральную, коническую, с поперечными связями и т. п.

Размагничивание или перемагчивание пленок представляет собой движение доменных стенок,

Тонкие ферромагнитные пленки изготовляют с помощью термовакуумного напыления, электролитического осаждения, ионно-плазменпого распыления и химического осаждения.

Наиболее часто применяют метод термовакуумного напыления, при котором используют вакуумные установки, позволяющие полу­чить разрежение не хуже 5-10~6 Па. Кобальт, никель и железо в процессе испарения образуют сплавы с молибденом, танталом и другими жаропрочными металлами, поэтому тигли приходится де­лать из алунда, а нагрев металлов осуществлять с помощью токов высокой частоты.

Для снижения влияния кислорода и водорода на структуру и свойства пленок в установку помещают титановый геттер для их адсорбции.

Методом ионно-плазменного распыления ферромагнитные плен­ки получают в присутствии магнитного поля. Скорость осаждения и магнитные свойства пленки в значительной степени зависят от плотности катода, выполняемого из материала, подлежащего распылению. Чем плотнее катод, тем выше скорость осаждения и тем меньше коэрцитивная сила.

Однородность пленки по толщине зависит от площади электро­дов, расстояния между ними и от величины приложенного напряже­ния. На свойства пленки влияет положение подложки по отноше­нию к различным зонам тлеющего разряда. Химические методы осаждения в основном используют для получения непроводящих магнитных пленок — ферритовых и гранатовых. Пленки, изготов­ленные этими методами, изотропны независимо от наличия магнит­ного поля и имеют петлю гистерезиса с высокой степенью прямо-уголыюстн.

В случае электролитического осаждения пленки наносят па под­ложку с помощью электролиза. Водный раствор электролита содер­жит катионы осаждаемого металла, анноны, обеспечивающие более благоприятные условия осаждения, и присадки для специальных целен. На характер осаждения пленки влияют такие условия, как температура раствора, плотность тока, состояние поверхности под­ложки, кислотность раствора.

Хорошие магнитные свойства наблюдаются у пленок, получен-ных в широком диапазоне значений плотностей* тока от 0,25 до 500 мА/см2. Для получения пленок с малыми значениями коэрци­тивной силы необходимы подложки с минимальной шероховатостью |и наиболее хаотичной ориентацией кристаллитов.

I

239

контрольные вопросы

1. Почему у металлов с высокой температурой плавления пленки получа­ются неориентированными, с малой величиной зерен?

2. Влияет ли скорость испарения металлов на структуру их пленок?

3. Почему состояние поверхности подложки, на которую наносится пленка,определяет свойства пленки?

4. Для чего нужно подогревать подложку?

5. Где больше длина свободного пробега электрона — в массивном материа­ле или в металлической пленке того же состава?

6. Почему термический отжиг изменяет величину удельного сопротивленияметаллических пленок?

7. В чем различие между тонкими пленками и эпитаксиальными слоями?

8. Почему скорость наращивания эпитаксиальных слоев на подложке с ори­ентацией (111) наименьшая?

9. На что влияют дефекты эпитакснальных слоев?

10. Почему у диэлектрической пленки, используемой в качестве пассивирую­щей, структура должна быть аморфной?

11. Почему на границе раздела кремний—диоксид кремния возникают ме­ханические напряжения?

12. От чего зависит плотность диэлектрических пленок?

13. Как влияет на величину коэффициента преломления увеличение содер­жания воды в диэлектрической пленке?

14. Чем обусловлены потери в диэлектрических пленках?

15. Почему оксидные пленки влияют на свойства кремния, служащего под­ложкой?

16. Дать определение ферромагнитного домена.

17. Если ферромагнитная пленка — это один домен, то чему равна его на­магниченность?

18. Как влияет структура ферромагнитной пленки на ее намагниченность?

ЛИТЕРАТУРА

Основная

1. Стильбанс Л. С. Физика полупроводников. — М.: Советское ра­дио, 1967.

2. Новиков В. В. Теоретические основы микроэлектроники. — ГЛ.: выс-шая школа, 1972.

З.Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники. — М.: Со­ветское радио, 1971.

Дополнительная

К главам 1, 2

1. Вихман Э. Квантовая физика.—М.: Наука, 1977.

2. Митрофанов В. В., Фогель В. А. Физика и химия полупровод­ников.—Л.: Судостроение, 1965.

3 Шпольскнй Э. В. Атомная физика.—М.: Наука, 1974. 4. Б у ш м а н о в Б. К, Хромов Ю. А. Физика поверхности твердого :ела. — М.: Высшая школа, 1971.

К главе 4

1. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупровод­ников. — М.: Наука, 1977.

2. Алфеев В. Н. Полупроводники, сверхпроводники и параэлектрики вкрноэлектронике. — М.: Советское радио, 1979.

3. Па латник Л. С, Сорокин В. К. Материаловедение в микро­электронике. — М.: Энергия, 1978.

К главе 5

1. Левин штейн М. Е., Пожела Ю. К-, Шур М. С. Эффект Ган-па. — М.: Советское радио, 1975.

2. Павлов Л. П. Методы определения основных параметров полупровод­никовых материалов.—М.: Высшая школа, 1975.

3. Уэрт Ч., Томсон Р. Физика твердого тела. — М.; Мир, 1969.

К главе 6

1. Е ф н м о в Е. А., Е р у с а л и м ч и к И. Г. Электрохимия германия к [кремния. —М.: Госхимиздат, 1963.

2 Голубев Л. В., Леонов Е. И, Сверхрешетки. — М.: Знание, 1977. 3. Изгарышев Н. А., Горбачев СВ. Курс теоретической электро­химии.— М. — Л.: Госхимиздат, 1961.

4. Поверхностью и контактные явления в полупроводниках. Изд. Томского (университета, 1964.

5. Шарма Б. Л., Пурохит В. К. Полупроводниковые гетероперехо-гды. —М.: Советское радио, 1979. I

6. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл — полупро-

водник. — М.: Мир, 1975.

241

К главе 71

Я

1. Шайв Дж. Физические свойства и конструкции полупроводликовых'приборов. М.—Л.: Госэнергоиздат, 1963. 1

К главе 8|

1. Клим о кто вич Ю. Д. Квантовые генераторы света и нелинейная оп-тика. — М.: Просвещение, 1966, i

2. Свешников С. В. Элемепты оптоэлектроники,—М.: Советское радио

К главе 9

1. Ржа по в А. В. Электронные процессы на поверхности полупроводни­ков.—М.: Нааука, 1971. j

2. Киссилев В. Ф. Поверхностпые явления в полупроводниках и диэлект-1риках. —М.: Шаука, 1970. J

3. П е к а Г. П. Физика поверхности полупроводников. Изд. Киевского уни- 'верситета, 19667. .'

4. Микроэлектроника и полупроводниковые приборы/Под ред. А. А. В а- сен копа и Я. А. Федотова. Вып. Ш, М.: Советское радио, 1976. '

5. Воль кенштейн Ф. Ф. Физика —химия поверхности полупроводни­ков. — М.: Наука, 1973.

К главе 10

1. Литвинов Р. О. Влияние поверхности на характеристики полупро­водниковых приборов.— Киев: Наукова думка, 1972.

2. Агал арзаде П. С, Петрил А. И., Из и дин о в С. О. Основыконструпроватия и технологии обработки поверхности р-n-переходов. — М.: Со­ветское радиго, 1978.

3. Ф а й жштейн С. М. Обработка и защита поверхности полупроводни­ковых прибоуров. — М.: Энергия, 1970.

ковых А. И. Защита и герметизация полупроводниковых приборов и интегрзльншх схем. — М.: Высшая школа, 1978.

К главе 11

1. Слушкая В. В. Тонкие пленки в технике сверхвысоких частот. — М.:Советское ра!дио, 1967.

2. Чершяев В. Н. Технология производства интегральных микросхем.—М.: Энергия, 1977.

3. Пузьырев В. А. Тонкие ферромагнитные пленки а радиотехническихцепях. — М.: Советское радио, 1974.

4. Окчслясние, диффузия, эпитаксия/Под ред. Р. Бургера и Р. Доно-вана. —М.п Мир, 1969.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Стр.

Предисловие 3

Введение 4

Глава 1- Строение атома 8

§ 1.1. Теория Планка и фотоэффект 8

§ 1.2. Линейчатые спектры атомов и теория Бора о строении атома 12§ 1.3. Дискретность энергетических уровней электронов в атомах

и спектры рентгеновских лучей L5

§ 1.4. Волновое уравнение электрона. Квантовые числа ...... 18

§ 1.5. Электронное строение атомов 21

Контрольные вопросы н задачи 23

Глава 2. Строение твердого тела 24

§ 2.1. Химическая связь в молекулах 24

§ 2.2. Atpei-атные состояния вещества 26

§ 2.3- Кристаллическая структура твердого тела 28

§ 2.4. Химические связи п кристаллах 32

§ 2-5. Обозначение плоскостей и направлений в кристалле 37

§ 2.6. Тепловые колебания атомов 39

§ 2.7. Дефекты кристаллов 40

§ 2.8. Определение структуры кристалла 44

§ 2.9. Жидкие кристаллы .* 49

Контрольные вопросы н задачи 53

Глава 3. Зонная теория твердого тела и статистика электронов .... 53

§ 3.1. Электронные состояния в твердых телах 53

§ 3.2. .Металлы, диэлектрики и полупроводники с точки зрения зон­ной теории 56

§ 3.3. Статистика носителей заряда в твердом теле 61

Контрольные «опросы и задачи 65

Глава 4. Электропроводность твердых тел 66

§ 4.1. Вывод формулы электропроводности твердых тел 66

§ 4.2. Электропроводность металлов 68

§ 4.3. Сверхпроводимость металлов 69

§ 4.4. Электропроводность собственных полупроводников 72

§ 4.5. Примесные полупроводники 76

§ 4.6. Температурная зависимость электропроводности полупровод­ника 83

§ 4.7. Полупроводники в области криогенных температур и сверх­проводимость полупроводников ' . . 87

§ 4.8. Измерение удельного сопротивления полупроводников 90

§ 4.9. Определение тина электропроводности полупроводников ... 93

Контрольные попроси и задачи 93

243

Стр.

Глава 5. Кинетические явления в полупроводниках 94

§ 5.1. Влияние сильных электрических полей на электропроводность

полупроводников 94

§ 5.2. Эффект Ганна 97

§ 5.3. Неравновесные носители заряда 101

§ 5.4. Неоднородные полупроводники. Диффузионные и дрейфовые

токи 102

§ 5.5. Измерение параметров полупроводников 104

§ 5.6. Гальваномагнитные эффекты 109

§ 5.7. Термомагнитные эффекты ИЗ

§ 5.8. Тепловые свойства полупроводников 113

Контрольные вопросы н задачи 118

Глава 6. Контакты полупроводника с металлом и электролитом .... 119

§ 6.1. Работа выхода и контактная разность потенциалов 119

§ 6.2. Контакт полупроводника и металла 121

§ 6.3. Выпрямление на контакте полупроводника с металлом . . . 125

§ 6.4. Контакт металла с электролитом 130

§ 6.5. Строение двойного слоя 132

§ 6.6. Контакт полупроводника с электролитом 133

§ 6.7. Собственный потенциал электрода. Методы его измерения . . 134§ 6.8. Вольт-амперные характеристики контакта металла и полупро­водника с электролитом 135

Контрольные вопросы и задачи 138

Глава 7. Контакты полупроводника с диэлектриком и полупроводником 139

§ 7.1. Образование р-л-переходов 139

§ 7.2. Классификация р-л-переходов 141

§ 7.3. Природа токов через р-n-переход 145

§ 7.4. Омические переходы. Переходы п-п+, р-р+147

§ 7.5. Гетеропереходы 149

§ 7.6. Перенос носителей в тонких пленках 151

§ 7.7. Токи в диэлектрических и полупроводниковых пленках, огра­ниченные пространственным зарядом 154

§ 7.8. Сверхрешетки 156

Контрольные вопросы и задачи 160

Глава 8. Термоэлектрические и фотоэлектрические свойства полупровод­ников 160

§ 8.1. Термоэлектрические явления 160

§ 8.2. Фотопроводимость 164

§ 8.3. Спектр поглощения полупроводников. Квантовый выход ... 167

§ 8.4. Рекомбинация носителей заряда 169

§ 8.5. Люминесценция 172

§ 8.6. Фото-э. д. с. в полупроводниках 173

§ 8.7. Квантовые генераторы 176

§ 8.8. Твердотельные лазеры 179

§ 8.9. Понятие об оптоэлектронике 183

Контрольные вопросы 185

Глава 9. Поверхностные свойства полупроводников 186

§ 9.1. Особенности строения поверхности полупроводников 186

§ 9.2. Образование поверхностного заряда 188

§ 9.3. Явление адсорбции на поверхности полупроводников .... 193

§ 9.4. Поверхностная электропроводность 196

§ 9.5. Эффект поля 199

244

Стр.

§ 9.6. Физические явления при переносе носителей заряда с по-

мощью МДП-структур 204

§ 9.7. Каналы проводимости 207

§ 9.8. Поверхностная рекомбинация 209

§ 9.9. Быстрые и медленные состояния 213

Контрольные вопросы и задачи 214

Глава 10. Зависимость параметров полупроводниковых приборов от со-стояния поверхности 215

§ 10.1. Влияние свойств поверхности на параметры полупроводни-

ковых приборов 215

§ 10.2 Ток поверхностной утечки 218

§ 10 3. Стабильность характеристик приборов 220

§ 10.4. Стабилизация поверхностного заряда 223

Контрольные вопросы 225

Глава 11. Свойства тонких пленок 226

§ 11.1. Особенности структуры пленок 226

§ 11.2. Металлические пленки 227

§ 11.3. Эпитаксиальные слои 230

§ 11.4. Диэлектрические пленки 232

§ 11.5. Ферромагнитные пленки 236

Контрольные вопросы 240

Литература • 241

Жанна Матвеевне Гаркуша

ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ'

Зав. редакцией Л. Д. Романова Научный редактор канд. фнз.-мят. наук В. В. Юдин

Редактор издательства И. Г. Волкова

Художественный редактор Т. М. Скиорцова

Технический редактор 3. В. Нужднна

Корректор Г. А. Чечетки и в

ИБ № 3566

Изд. № ЭР-306. Сдано в набор 06 01.«2. Подп. в печать 12.01.82. Т-06493. Формат 60X90Vie. Бум. тип. № 2. Гарнитура литературная. Печать высокая Объем 15,5 усл. меч. л. 15.63 усл. кр.-тт. 16,42 уч.-изд. л. Тираж 20 СШ экз.

Инк. № 56. Цена 63 коп.

Издательство сВысшая школа», Москва, K-51, Неглинная ул., д. 29/14.

Московская типография № 8 Союз поли граф прома при Государственном коми-тете СССР по делам издательств, полиграфия и книжной торговли. Хохлов­ский пер., 7.

ИЗДАТЕЛЬСТВО «ВЫСШАЯ ШКОЛА»

ВЫПУСТИТ В СВЕТ В 1982 ГОДУ

для учащихся средних специальных учебных заведений следующие учебники:

Криушин В. Н., Командрояская И. А., Черняк Н. Г. Тех­нические средства АСУ: Учебник. — 15 л., ил. — 55 к. В учебнике рассмотрены эксплуатационно-технические характери­стики, состав устройств и принципы работы технических средств, используемых для обработки информации в ситемах управления; основные принципы построения ЭВМ третьего поколения; изложены приемы и методы работы на клавишных и перфорационных маши­нах; показаны пути развития технической базы и методика выбора комплекса технических средств автоматизированных систем. Для учащихся средних специальных учебных заведений. Может быть полезен лицам, занимающимся вопросами проектирования и экс­плуатации средств АСУ.

Потапов В. М., ХомченкоГ. П. Химия: Учебник, — 25 л., ил. — В пер.: 90 к.

В учебнике в доступной форме излагаются основные понятия и за­коны химии, строение атома и периодический закон Д. И. Менде­леева, электролитическая диссоциация; на современной теоретиче­ской основе рассматриваются соединения азота, фосфора, углерода, кремния, металлов. В части, посвященной органической химии, рассматриваются углеводороды, галоген-, кислород- и азотсодер­жащие соединения. Кратко освещены гетероциклы, органические соединения, серы, фосфора, мышьяка, кремния и металлов. Для учащихся нехимических техникумов.

Цигельман И. Е. Электроснабжение гражданских зданий и ком­мунальных предприятий: Учебник. — 2-е изд., перераб. и доп. — 25 л., ил. — В пер.: 1 р. 10 к.

В книге рассмотрены общие сведения об электрических станциях и режимах их работы, принципиальные схемы построения питающих и распределительных городских сетей напряжением до 10

и их

textarchive.ru

Ферромагнитная+плёнка — с русского на английский

См. также в других словарях:

• ферромагнитная плёнка — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ферромагнитная плёнка —         см. Магнитная тонкая плёнка …   Большая советская энциклопедия

• Ферромагнитная жидкость — на стекле под воздействием магнита под стеклом. Ферромагнитная жидкость (ФМЖ, магнитная жидкость …   Википедия

• Магнитная плёнка-визуализатор — Плёнка показывает магнитные полюса магнита на холодильник. Полюса темнее, края полюсов светлее. Магнитная плёнка визуализатор используется, чтобы показать стационарные, или …   Википедия

• feromagnetinė plėvelė — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ferromagnetic film — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ferromagnetischer Film — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• film ferromagnétique — feromagnetinė plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ferromagnetic film vok. ferromagnetischer Film, m rus. ферромагнитная плёнка, f pranc. film ferromagnétique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Ферромагнетизм —         одно из магнитных состояний кристаллических, как правило, веществ, характеризуемое параллельной ориентацией магнитных моментов (См. Магнитный момент) атомных носителей магнетизма. Параллельная ориентация магнитных моментов (рис. 1)… …   Большая советская энциклопедия

translate.academic.ru

Способ получения ферромагнитных пленок на твердотельных подложках

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

1511 Н Ol F 41/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2 создании регистрирующих сред для записи магнитной и магнитооптической информации. Целью изобретения является расширение частотного диапазона ферромагнитной пленки. Изобретение позволяет формировать в твердотельной подложке на заданной глубине ферромагнитную пленку, которую можно использовать в широком частотном диапазоне при создании быстродействующих запоминающих устройств ЭВМ, приборов

СВЧ в планарных линиях: фаэовращатели, СВЧ-ключи и т.д. Это достигается тем, что твердотельную подложку из кварца бомбардируют быстрыми ионами переходных элементов группы железа при плотностях ионного тока j =6 10—

9 10 ион/см с и дозах имплантации

0 =5 10 — 10 10 ион/см

j 6 10 Fe /см . с. Температура радиационного нагрева не превышала 65 С.

Методами ядерного гамма-резонанса, оптической спектроскопии было подтверждено образование ферромагнитной островковой пленки металлического

Ы вЂ” Fe. Данные ферромагнитного pesoнанса показали, что толщина частиц составляет околс 300-400 1, их диаметр 500-700 А, коэффициент заполнения по площади образца около 0,2.

Вектор намагниченности лежит преимущественно в плоскости пленки. Иэ снятых петель гистереэиса на частоте 75 Гц вычислены величина коэрцитивной силы Н =60 Э, намагниченность на3 сьпцения I =1,47 10 Гс см /см и отГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4021842/24-07 (22) 06.02.86 (46) 15 ° 09.89. Бюл. 89 34 (71) Казанский физико-технический институт Казанского филиала АН СССР (72) А.В ° Казаков, А.А.Бухараев, И.Б,Хайбуллин и Н.P.ßôàåâ (53) 62!.318(088.8) (56) Праттон М. Тонкие ферромагнитные пленки. Л,. "Судостроение", 1967. с. 11-27 °

Авторское свидетельство СССР

1l 1114246, кл. Н 01 L 21/265, !982. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФЕРРОМАГНИТНЫХ

ПЛЕНОК HA ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ (57) Изобретение относится к электротехнике, в частности к технологии получения тонких ферромагнитных пленок, и может быть использовано при

Изобретение относится к технологии

0 получениях тонких (1000 А) магнитных пленок (TMII) на твердотельных подложках и может быть использовано при создании быстродействующих запоминающих устройств, применяемых в

ЭВМ.

Цель изобретения — расширение частотного диапазона ферромагнитной пленки.

Пример. Для получения магнитной пленки на основе железа подложку в виде плавленного кварца марки КИ, полированную с двух сторон, бомбардируют на ускорителе ИЛУ-3 ионами 6Ре с энергией E=40 кэВ, дозой 8

x10 Fe /см при плотности тока ионов

16 +

ÄÄSUÄÄ 1347789 А1

1 347789!

Формула изобретения

Рад«кто» II.Тимонина Техред Л.Сердюкова Корректор М.Пожо

Злкэ 6799 Тираж 694 Подписное

ВН!сударстненного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5!

1р. и >волl

«>пи «>«: ч>?ой нлмлгнпче>«сти к

Il > и >11 Ти IIrlCbIIII

=-О, 2?>, IIl кнлрцл толщиной о

100 >. В к;>честве материала подложки «ыбрлн квлрц. Кнлрц — немагнитный и;> òå ð> является необходимым

r»el «;I>I>le«I к подложклм для ТФП. его корро.>I?«>отl и износостойкость обеспечивлвт вь>сохне эксплултлционные хлрлктери «:I IJIo>I

>л емеll то и удается создать тонкую ферр пленку (ТФП) .

Был ус тлновлено также, что при

T>II не брлзуется, так как в этом случлс размер пр IIHBHTBToB металла меньше критического размера однодоме«но тому минимальная доз а им

При дальнейшем увеличении дозы происходит увеличение размеров частиц метлллл и формирование ТФП. Однако при 30

l6 дозлх более 10 10 ион/см существенным ст

3то ухудшает химическую стойкость пле«

«10 ио«/

1?I

ТФП. В связи с этим была выбрана мак з z симальная величина j=9 10 ион/см-с > при которой температура образца не

превьппает 100 С. Ионная бомбардировка с малой плотностью ионного тока практически не сказывается на магнитных характеристиках ТФП. Однако при этом для достижения необходимой дозы необоснованно унеличинается время облучения, поэтому ани.:ать велиlz 2 чину j меньше 6 I O иои/см ° с нецелесообразно.

Таким образом, данный способ позволяет получать ферромагнитную пленку, защищенную от внешних воздействий, которую можно использовать н широком частотном диапазоне.

Способ получения ферромагнитной пленки на твердотельных подложках путем бомбардировки быстрыми ионами переходных элементов группы железа, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона ферромагнитной пленки, в качестве подложки используют кварц и облучают ее при плотностях ионного тока 6 х

>« z

АЙ!О -9 0 ион/см ° с и дозах 5 10—

1О 10 ион/см

Похожие патенты:

Изобретение относится к области прикладной сверхпроводимости и может быть использовано при изготовлении механически нагруженных сверхпроводящих обмоток с напряжением проводника больше 100 МПа при работе, а также сверхпроводящих обмоток и устройств, работающих в переменных режимах, например сверхпроводящих магнитов для ускорителей заряженных частиц и сверхпроводящих индуктивных накопителей энергии

Изобретение относится к способу формирования проводящего слоя с изменяющейся величиной намагниченности и коэрцитивной силы вдоль направления проводника или проводников с помощью установки распыления материала

Изобретение относится к области выращивания монокристаллических пленок

Изобретение относится к технологии получения ленточных носителеймагнитной записи, Изобретение обеспечивает повьшение качества магнитной ленты, заключающееся в увеличении нагрузки, соответствующей пределу текучестн, уменьшении относительного удлинения под нагрузкой 2Н и остаточного удлинения после снятия нагрузки , за счет того, что получают магнитную ленту отливом пленочной полиэтилентерефталатной основы, двухосной ориентацией, термофиксацией и термообработкой под натяжением 10 - 30 Н/мм при 4-8-кратном удлинении на 20-40%

Изобретение относится к тонкопленочным магнитным материалам на основе органических соединений, предназначенных для элементов функциональной электроники

Изобретение относится к испаряющемуся материалу и способу его получения, который может быть использован при изготовлении магнитов с повышенной коэрцитивной силой

Изобретение относится к области магнитной записи информации, конкретно к способу получения пленок для магнитной записи информации. Способ получения полимерных нанокомпозиций в виде тонких пленок для сверхплотной записи информации включает получение прекурсора, состоящего из поливинилового спирта, воды и смеси водорастворимых солей трех- и двухвалентного железа, с последующей обработкой по крайне мере одним водорастворимым диальдегидом при pH от 0 до 3 в присутствии кислоты в качестве подкисляющего агента, получение тонкой пленки на диэлектрической немагнитной подложке путем нанесения прекурсора на вращающуюся на центрифуге подложку с образованием пленки геля, обработку полученной пленки геля щелочью, при введении щелочи в количестве, обеспечивающем полное протекание реакции щелочного гидролиза смеси солей железа с образованием смеси магнетита и маггемита, при этом обработку щелочью полученной пленки геля осуществляют в парах аммиака, образующегося из водного раствора аммиака (Nh5OH) или гидразин-гидрата (N2h5·h3O) в течение 5,0-15,0 часов. Технический результат - уменьшение разброса наночастиц магнетита и маггемита по размерам, получение нанокомпозиции равномерной структуры. Полученная структура может использоваться в качестве запоминающей среды для сверхплотной магнитной записи информации. 2 ил. 1 пр.

Изобретение относится к области получения монокристаллических пленок на подложках для магнитных, оптических, магнитооптических и резонансных исследований. Шихту наплавляют в платиновый тигель, компоненты берут в соотношении, мас.%: Fe2O3 - 5,37, В2О3 - 51,23, PbO - 29,31, PbF2 - 13,73. После этого тигель с раствором-расплавом помещают в ростовую печь, нагревают до 900-950°С и выдерживают с перемешиванием при этой температуре в течение суток. Затем температуру быстро снижают до 820-830°С, опускают в раствор-расплав закрепленный на кристаллодержателе диамагнитный кристалл GaBO3 и выдерживают в течение 0,5-3 часа с перемешиванием. Затем температуру медленно понижают со скоростью 3-40°С/ч до 800°С и извлекают кристаллодержатель из печи. Изобретение позволяет получать монокристаллическую пленку FeBO3 на диамагнитной подложке GaBO3. 3 ил., 3 пр.

Изобретение относится к электротехнике, в частности к технологии получения тонких ферромагнитных пленок, и может быть использовано при Изобретение относится к технологии получениях тонких магнитных пленок на твердотельных подложках и может быть использовано при создании быстродействующих запоминающих устройств, применяемых в ЭВМ

www.findpatent.ru

• 
  Армор пленки
• 
  Юсб пленки
• 
  Пленка фуджифильм
• 
  Пленки урала
• 
  Пленка invisible
• 
  Пленка скорпио
• 
  6510 пленка
• 
  Пленка 6510
• 
  Гидроизол пленка
• 
  Пленка паробарьер
• 
  Ptfe пленка