Алмазными пленками научились покрывать любые поверхности. Алмазные пленки


Алмазные пленки | Технологии и инновации

Алмазные пленки

06.05.2011 в Технологии и инновации

Ввиду большого интереса к новым газофазным методам выращивания алмаза (и шире – алмазных материалов) поток публикаций на эту тему в мире постоянно возрастает. Издается специализированный международный журнал Diamond and Related Materials (США), регулярно проводятся международные конференции по науке и технологии CVD-алмаза, наиболее крупными из которых являются European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides, и New Diamond and Nano Carbons.

Выбор и обоснование технологической операции осаждения поликристаллических алмазных, наноалмазных и алмазоподобных пленок.

CVD метод позволяет получать поликристаллические плёнки алмаза диаметром от 1 мм до 50 см, и толщиной от долей мкм до 3 мм и более. В отличие от роста при высоких давлениях и температурах, химическое осаждение из газовой фазы происходит в метастабильных условиях: при пониженных давлениях до 30÷400 мм рт ст (4÷54 кПа) и температурах подложки 870÷1370 К. При этом типичные линейные скорости роста лежат в диапазоне 1÷10 мкм/ч и лишь для одного, мало распространённого метода (осаждение из пламени), достигают 100 мкм/ч.

Ниже дан краткий обзор современных методов синтеза алмаза из газовой фазы с указанием особенности технологий, их преимуществ и недостатков.

Метод горячей нити

Простейшим способом активации газовой фазы, состоящей из смеси водорода  с углеродсодержащим газом (для  СН4 – 0,5 ÷ 2 об. %), является использование нагретой до температуры ~ 20000C проволоки из тугоплавкого материала, размещаемой  около подложки, на которую наращивается алмазная плёнка и которая поддерживается при температуре  700-1000оC. Давление газовой фазы обычно составляет 20-60 Торр, а расстояние между проволокой-активатором и подложкой 4-10 мм. В качестве тугоплавких материалов обычно применяют W, Ta, Re. Следует иметь в виду, что при нагревании в углеводородной среде металл карбидируется (кроме Re) и охрупчивается. При карбидировании W температура плавления активатора существенно снижается, а у Ta – повышается. В ИФХ АН СССР метод был впервые использован в 1972 году, но получил широкую известность после публикации работы Мацумото [16].Большим достоинством является простота и возможность масштабирования. В настоящее время методом горячей нити получают покрытия на подложках площадью до 0,3 м2[17]. Скорость плёнок обычно составляет около 1 мкм/час и может быть увеличена за счёт уменьшения расстояния между активатором и подложкой, повышением температуры активатора, а также при подаче на подложку электрического смещения или дополнительной активацией газовой фазы электрическим разрядом (постоянного тока или радиочастоты), УФ облучением.

Недостатком метода является принципиальная невозможность предотвратить вхождение примеси металла-активатора в плёнку, что важно при получении очень чистого алмаза, а также невозможность введения  в газовую смесь добавок, активно взаимодействующих с материалом активатора.

Активация газа в пламени горелки

Химический способ активации реализуется также в методе выращивания в пламени горелки. Этот метод, впервые описанный в 1990 году [18], может быть реализован в разнообразных вариантах [19]. В простейшем случае процесс ведется на атмосфере, и нет необходимости в реакторе. Использование кислородно-ацетиленовой горелки позволяет получать высокие концентрации радикалов и скорость осаждения алмаза может достигать 100 мкм/час. Очевидный недостаток простейшей схемы – неоднородность условий в зоне осаждения и малая её площадь. Она может быть увеличена за счёт изменения конфигурации пламени, например, создания плоского пламени (при пониженных давлениях) [20] и использования системы горелок. При наличии защитной атмосферы можно использовать сканирование и получать покрытия на большой площади. Так, группа японских учёных из научно-исследовательской лаборатории корпорации «Ниппон» в г. Чиба во главе с Окадой [21] получила алмазные кристаллы размером до 20-30 мкм на подложках из твёрдого сплава на площади 35´29,5 см2 при температуре 950 –1100оС за 1 час наращивания. Использование горелок в реакторах при пониженном давлении позволяет увеличить площадь осаждения и улучшить контроль над ходом процесса. Однако за счёт увеличения площади покрытия снижается скорость осаждения без заметного выигрыша в качестве, поэтому с 2002 года публикации об осаждении алмазных плёнок из пламени горелки на больших площадях практически исчезают со страниц научных журналов.

Разряд постоянного тока

Осаждение в плазме разряда постоянного тока [22, 23] позволяет получать алмазные плёнки со скоростями в десятки микрометров в час. Помимо высоких скоростей роста достоинствами метода являются простота процесса, низкое потребление газа, однако методу присуще загрязнение плёнки продуктами распыления электродов.

В варианте установки для роста алмазных плёнок с использованием дугового разряда, созданном в ИОФРАН, [24], разряд в смеси Ch5/h3 зажигается между катодом (стержень из стеклоуглерода или TaC) и самой подложкой, являющейся анодом. Вследствие этого, осаждение возможно на металлические или полупроводниковые (в основном, кремниевые) подложки.. В типичных условиях (давление 100 Торр, температура 800оС, расход газа 5-6 л/час, величина тока 1,5-2,5 А) достигаются скорости 10 мкм/час на подложках площадью 1 см2. Даже при высоких концентрациях метана в смеси получаемые плёнки остаются поликристаллическими.

Добавки благородных газов способствуют более высокой активации реагентов. В тройных реакционных смесях Ch5-h3-Ar удается синтезировать нанокристаллические пленки в широком диапазоне концентраций метана, сохраняя алмазную структуру даже в «безводородных» смесях Ch5—Ar. Такие пленки характеризуются низкой шероховатостью (Ra=7-15 нм при толщине до 2 мкм) и высокой твердостью (85 ГПа).

Применение многокатодной системы позволило увеличить диаметр подложки до 100 мм, избегая при этом шнурования разряда [25]. При мощности на каждом из семи катодов 2,4 кВт и скорости осаждения 10 мкм/час получены алмазные пластины с хорошей однородностью по толщине (800-900 мкм). Дальнейшее масштабирование размеров плазмы и пластин может быть достигнуто увеличением числа катодов.

Электродуговой плазмотрон

В электродуговом плазмотроне газ, нагреваемый в разряде постоянного тока в цилиндрическом канале, истекает через сопло, образуя высокоскоростную струю с температурой в ядре потока до 40000ºС, что намного выше, чем в методах активации газа с помощью СВЧ плазмы или горячей нити. Вследствие высокой степени разложения газа-реагента, высокой концентрации атомарного водорода скорости осаждения алмаза достигают больших величин. Впервые дуговой плазмотрон был использован для синтеза алмаза Курихарой в 1988 г. [26]. Были достигнуты скорость роста более 900 мкм/час и коэффициент конверсии углерода из метана в алмаз около 8%, однако, лишь на подложках небольшой площади (несколько кв. мм) [27]. Тем не менее, среди всех прочих методов синтеза именно в дуговом плазмотроне впервые были получены толстые алмазные пластины. В качестве плазмообразующего газа используется аргон, к которому подмешивается метан и водород. Вместо метана можно использовать пары спирта [28]. Увеличение площади осаждения и снижение себестоимости процесса синтеза лежит на пути повышения мощности установок. В Пекинском научно-технический университете для роста алмазных пластин используется плазмотрон мощностью 100 кВт [29]. Плазмотрон мощностью 500 кВт создан в Питтсбурге специалистами научно-технологического центра корпорации «Вестингхаус электрик», США [30]. В обоих реакторах предусмотрено, что рабочий газ не выбрасывается из камеры, а направляется повторно в неё для максимально полного использования реагентов. В 90-х годах фирма «Нортон» (США) на основе дуговых плазмотронов освоила промышленное производство алмазных дисков диаметром до 175 мм [31].

В плазмогенераторе в стандартной конфигурации с межэлектродными вставками [32] при мощности, вкладываемой в разряд 3-8 кВт, давлении 50-100 Торр и расходе газа 30 л/мин получены скорости осаждения до 25 мкм/час на площади до 10 см2. Интересный метод увеличения площади осаждения при относительно небольшой мощности, основанный на идее внешнего расширения плазменной струи после выхода из сопла плазмотрона посредством организации дополнительного разряда ниже по направлению (рис. 13) применен в работе [33].

Разряд поддерживался между дополнительным кольцевым электродом (анодом), сквозь который проходила плазменная струя и собственно струёй (катодом). Ниже кольца узкий высокотемпературный плазменный керн расширялся в несколько раз. Дополнительная мощность, вложенная во вторичный разряд, составляла 2,5 кВт. При линейной скорости осаждения 40 мкм/час на площади 12 см2 удельная (на единицу мощности) осаждения достигала 16 мг/час·кВт, что сравнимо с эффективностью для 100 кВт системы.

СВЧ плазма

Одним из самых распространенных методов синтеза алмаза является осаждение в микроволновой (СВЧ) плазме или MWCVD [34,35]. Этому способствовали доступность стандартных СВЧ компонентов на частоте 2,45 ГГц для строительства такого типа реакторов, и большой опыт, накопленный по применению СВЧ плазмы для обработки поверхности. СВЧ плазма «стерильна» в том смысле, что отсутствуют какие-либо распыляемые электроды, поэтому содержание примесей от компонентов реактора в алмазе минимально. Это позволяет получать алмаз оптического и даже электронного качества [36]. Впервые алмазные плёнки из СВЧ плазмы были синтезированы в 1983 г. исследовательской группой из японского института Неорганических материалов [37]. В разработанном ими простом реакторе при мощности <1,5 кВт скорость осаждения составляла около 0.5 мкм/час.

Семейство усовершенствованных ректоров было разработано в дальнейшем фирмой «ASTeX» («Астэкс», США) [38]. Системы мощностью 5 и 8 кВт, выпускаемые серийно, позволяют проводить процесс роста непрерывно в течение сотен часов, что необходимо для получения толстых (порядка 1 мм) алмазных пластин. Диаметр плазмы равен примерно половине длины волны (6,1 см для частоты 2,45 ГГц), что является фундаментальным ограничением. Увеличить площадь осаждения можно переходом на более низкие частоты. СВЧ реактор мощностью до 100 кВт, работающий на частоте 915 МГц, обеспечивает скорости роста до 1 г/час на подложке диаметром до 30 см.

Оригинальная камера-резонатор в виде эллипсоида вращения была разработана в группе П. Койдла (Фраунгоферовский институт прикладной физики твёрдого тела, Германия). Излучающая антенна размещается в одном из фокусов эллипсоида, а подложка – в другом, где фокусируется СВЧ излучение [39]. В настоящее время реакторы такого типа выпускаются фирмой «Aixtron AG» [www.aixtron.com] в двух вариантах: мощностью 6 кВт (2,45 ГГц) и 60 кВт (915 МГц), они позволяют получать материал оптического качества.

Лазерный плазмотрон

Возможно одним из самых интересных подходов к осаждению алмаза, предложенных в последнее время, является использование для этой цели лазерного плазмотрона [40]. Нагрев газовой струи в таком плазмотроне осуществляется плазмой непрерывного оптического разряда, поддерживаемого непрерывным лазерным излучением. В оптического разряде достигаются более высокие температуры (около 20000оС), чем в случае высокочастотных и СВЧ-разрядов, что позволяет расcчитывать и на более высокие скорости осаждения. При использовании плазмы, созданной фокусировкой луча СО2 лазера мощностью 2,5 кВт (длина волны 10,6 мкм), достигнуты скорости осаждения 40-60 мкм/час на подложках площадью порядка 1 см2. Увеличение скорости и площади осаждения можно ожидать при более высокой лазерной мощности, но пока этот метод развивается лишь на лабораторном уровне.

Нанокристаллические алмазные плёнки

Со времени появления первых работ (1994 г.) учёных из Аргонской национальной лаборатории (АНЛ, США) [41] и Института общей физики РАН [42], которые обнаружили, что микроструктурой алмазных пленок и размером кристаллитов в диапазоне от микро- до нанометров можно эффективно управлять путем изменения условий плазмохимического осаждения (в частности, посредством выбора соответствующей газовой среды), интерес исследователей ведущих лабораторий в США, Европе и Японии к нанокристаллическим алмазным пленкам непрерывно растет.  Появляются новые данные об уникальных свойствах этих пленок [43].

Термин «ультрананокристаллический алмаз» (УНКА), обозначающий структурно-чистые алмазные плёнки со средним размером кристаллитов 5 нм (которые синтезируются из обогащенных аргоном газовых сред), был введен учеными из АНЛ, чтобы отличать УНКА пленки от нанокристаллических пленок субмикронной толщины с размером зерна 50-100 нм, получаемых из Ch5-h3 плазмы [44]. При нанометровых размерах зерна (3-15 нм), УНКА плёнки обладают исключительно малой величиной поверхностной шероховатости (20-40 нм), что при высокой микротвёрдости и износостойкости, химической инертности значительно расширяет область их применений в микроэлектромеханических системах [45], электронике [46] по сравнению с микрокристаллическими плёнками.

Из-за малого размера зерна роль и влияние межзёренных границ на макроскопические свойства УНКА материала становится определяющей. Свойства УНКА пленок сильно зависят от наноструктуры межзеренных границ, определяемой внедрением в них примесных атомов, таких как водород, азот, кремний в процессе синтеза при вводе соответствующих газов в Ch5/Ar плазму [47]. Данная проблема «легирования УНКА» является одной из важнейших в газофазном синтезе ультрананокристаллического алмаза.

Процесс синтеза УНКА проводят в СВЧ плазме в смеси  Ar/h3/Ch5, с пониженной (вплоть до нуля) концентрацией Н2, причем аргон является основным компонентом в смеси [48]. Предполагается [49], что основным радикалом, «строительным кирпичиком» в механизме роста УНКА, является димер С2 в отличие от метилового радикала СН3 при синтезе полиалмаза. Процесс наращивания УНКА сопровождается интенсивной вторичной нуклеацией, что не позволяет разрастаться кристаллитам алмаза, сохраняя их нанометровые размеры даже при значительных (единицы и десятки мкм) толщинах пленки.

Обнаружено [50], легированные азотом нанокристаллические алмазные пленки обладают проводимостью n-типа, причем возможно получение пленок с очень низким удельным сопротивление (<0.01 Ом*см). Таким образом, введение азота является альтернативой традиционному способу обеспечения проводимости алмаза за счет легирования бором. Проводящие алмазные пленки представляют большой интерес для электрохимии, где на их основе разрабатываются очень стабильных электродов для электрохимических сенсоров, очистки воды, и пр. Говоря о применениях азотированных УНКА-пленок в электронике отметим, что они продемонстрировали весьма низкие, 2-5 В/мкм, поля включения полевой электронной эмиссии [51], а диоды со структурой «УНКА на алмазе р-типа» наряду с высоким (108) коэффициентом выпрямления показали рекордную температурную стабильность, вплоть до 1060ºС [52].

Отметим, что несмотря на интерес к получению УНКА, в литературе имеется гораздо меньше сообщений, раскрывающих детали техники осаждения таких пленок в СВЧ разряде, по сравнению с работами в области синтеза поликристаллических пленок.

Выводы по методам получения алмазных пленок

Активно развиваемые новые газофазные технологии поучения CVD-алмаза выгодно отличаются от традиционных методов синтеза при высоких давлениях в силу: (а) беспрецедентно больших размеров (б) высокой воспроизводимости физических параметров, (в) возможности выращивания изделий заданной формы, (г) возможности нанесения покрытий на поверхности различных материалов. CVD алмаз не содержит ни пор, ни связующего материала, и потому проявляет свойства приближающиеся к свойствам монокристаллов алмаза.

Наиболее подходящим методом для получения особо чистого алмаза является осаждение из СВЧ-плазмы. С другой стороны, в СВЧ плазме, но с использованием более сложных газовых смесей типа метан-водород-аргон (а также азот для легирования) возможно получении и нанокристаллических алмазных пленок со специальными свойствами (низкая шероховатость, высокая электропроводность). Таким образом, перспективным является разработка технологического процесса изготовления и поли- и нанокристаллических пленок на едином оборудовании на базе СВЧ реактора.

Таким образом технологическое оборудование УОАП будет формироваться модифицированным СВЧ реактором, разработанным ООО «Оптосистемы»

  1. Matsumoto S., Sato Y., Tsutsumi M., Setaka N.  Growth of Diamond Particles from Methane–Hydrogen Gas // J. Mater. Sci. 1982. V. 17. P. 3106-3112.
  2. Fryda M., Herrmann D., Schafer L., Klages C.-P. Properties and Applications of Diamond Electrodes // Proc. ADC/FCT’99. 5th Int. Conf. on the Applic. of Diamond Films and Relat. Mater. 1st Int. Conf. on Frontier Carbon Technol. 1999. P. 165-170
  3. Matsui Y., Yabe H., Hirose Y. The Growth Mechanism of Diamond Crystals in Acetylene Flames // Jap. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. № 8. Р.1552-1560
  4. Ravi K.V. Combustion Synthesis: Is It Most Flexible of the Diamond Synthesis Process? // Diamond Relat. Mater. 1995. V. 4. P. 243-249
  5. Okada M., Nishigavara Y., Kubomura K. A Process for Continuous Manufacturing of Diamond in Atmosphere // Diamond Relat. Mater. 2002. V. 11. P. 1479-1484
  6. Lowe A.G., Hartlieb A.T., Brand J., Atakan B., Kohse-Honighaus K. Diamond Deposition in Low-Pressure Acetylene Flames: In Situ Temperature and Species Concentration Measurements by Laser Diagnostics and Molecular Beam Mass Spectrometry // Combust. Flame. 1999. V. 118. P. 37-50.
  7. Попов С.В., Спицын Б.В., Алексенко А.Е. Получение поликристаллических алмазных плёнок миллиметровой толщины // Труды 1-го Международного семинара по алмазным пленкам, Улан-Удэ, 1991, Техника средств связи, Москва, Серия Технология Производства и Оборудование. Вып. 4, 1991, С. 51-54;
  8. Sciortino S., Lagomarsino S., Pieralli F., Borchi E., Galvanetto G. Polycrystalline Diamond Synthesis by Means of High Power Pulsed Glow Discharge CVD // Diamond Relat. Mater. 2002. V. 11. P 573-578
  9. Chapliev N.I., Konov V.I., Pimenov S.M., Prokhorov A.M., Smolin A.A. Laser-assisted selective area deposition of diamond films // Applications of Diamond Films and Related Materials. Elsevier Science Publishers. Amsterdam. 1991. P. 417-421.
  10. Eun K.Y., Lee J.K., Lee W.-S., Baik Y.-J. Free-Standing Diamond Wafers Deposited by Single-and-Multi-Cathode Direct Current Plasma Assisted CVD // Proc. Appl. Diamond Conf./Frontier Carbon Technol. Tsukuba. Japan. 1999. P. 175-178
  11. Kurihara K., Sasaki K., Kawarada M., Koshino N. High Rate Synthesis of Diamond by DC Plasma Jet Chemical Vapor Deposition // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. P. 437-438.
  12. Ohtake N., Yoshikawa M. Diamond Film Preparation by Arc Discharge Plasma Jet Chemical Vapor Deposition in the Methane Atmosphere // J. Electrochem. Soc. 1990. V. 137. P. 717-722.
  13. Aksenov I.I., Vasil’ev V.V., Strel’nitskij V.E., Shulaev V.M., Zalesskij D. Yu. Arc Discharge Plasma Touch for Diamond Coating Deposition // Diamond Relat. Mater. 1994. V. 3. P. 525-527
  14. Lu F.X., Zhong G.F., Sun J.G., Fu Y.L., Tang W.Z., Wang J.J., Li G.H., Zang J.M., Pan C.H., Tang C.X., Lo T.L., Zhang Y.G. A new type of DC arc plasma torch for low cost large area diamond deposition // Diamond Relat. Mater. 1998. V. 7., No. 6, P. 737.
  15. Partlow W.D., Schreurs J., Young R.M., Martorell I., Dighe S.V., Swartzbeck G., Burton J. // Applications of Diamond Films and Related Materials: Third International Conference. NIST Spec. Publ. 1995. 885. P. 519-524
  16. Gray K.J., Windishmann H. Free-Standing CVD Diamond Wafers for Thermal Management by DC Arc Jet Technology // Diamond Relat. Mater. 1999. V. 8. P. 903-908
  17. Переверзев В.Г., Ральченко В.Г., Смолин А.А., Власов И.И., Образцова Е.Д., Конов В.И., Метев С., Оцеговски М., Зепольд Г. Осаждение алмазных покрытий из газовой фазы методом электродугового плазмотрона постоянного тока // Физика и химия обработки материалов. 1999. № 2. C. 28-36.
  18. Pereverzev V.G., Pozharov A.S., Konov V.I., Ralchenko V.G., Brecht H., Metev S., Sepold G. Improved DC Arc-Jet Diamond Deposition with a Secondary Downstream Discharge // Diamond Relat. Mater. 2000. V. 9. P. 373-377.
  19. Sevillano E. Microwave-Plasma Deposition of Diamond // Low-Pressure Synthetic Diamond. Springer Publishers. Berlin. 1998. P .11-39.,
  20. P.K. Bachmann. Microwave-Plasma Chemical Vapor Deposition of Diamond // Handbook of Industrial Diamonds and Diamond Films. Marcel Dekker. New York. 1997. P. 821-850.
  21. Isberg J., Hammetrsberg J., Johansson E., Wilkstrom T., Twitchen D.J., Whitehead A.J., Coe S.E., Scarsbrook G.A. High Carrier Mobility in Single-Crystal Plasma-Deposited Diamond // Science. 2002. V. 297. P. 1670-1672.
  22. Kamo M., Sato Y., Matsumoto S., Setaka N. Diamond synthesis from gas phase in microwave plasma // J. Crystal Growth. 1983. V. 62. P. 642.
  23. Sevillano E. Microwave-Plasma Deposition of Diamond // Low-Pressure Synthetic Diamond. Springer Publishers. Berlin. 1998. P. 11-39.
  24. Funer M., Wild C., Koidl P. Novel microwave plasma reactor for diamond synthesis // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 1149-1151.
  25. Bolshakov A.P., Konov V.I., Prokhorov A.M., Uglov S.A., Dausinger F. Laser Plasma CVD Diamond Reactor // Diamond Relat. Mater. 2001. V. 10. P. 1559-1564.
  26. D. M. Gruen, S. Liu, A. R. Krauss, J. Luo, X. Pan. Fullerenes as Precursors for Diamond Film Growth Without Hydrogen or Oxygen Additions // Applied Physics Letters. 1994. V. 64. P. 1502-1504.
  27. V.I. Konov, A.A. Smolin, V.G. Ralchenko, S.M. Pimenov, E.D. Obraztsova, E.N. Loubnin, G. Sepold, S.M. Metev. D.c. arc plasma deposition of smooth nanocrystalline diamond films // Diamond and Related Materials. V. 4. 1995. No 8. P. 1073-1078.
  28. Dieter M.Gruen, Olga A. Shenderova and Alexander Ya. Vul’. Electronic Properties and Applications of Ultrananocrystalline Diamond, in Synthesis, Properties and Applications of Unltrananocrystalline Diamond, NATO Science Series. V. 192. 2005. P. 373-382.
  29. S-P. Hong, H. Yoshikawa, K. Wazumi, Y. Koga. Synthesis and tribological characteristics of nanocrystalline diamond film using Ch5/h3 microwave plasmas // Diamond and Related Materials. V. 11. 2002. No 3-6. P. 877-881.
  30. A.R. Krauss, O. Auciello, D.M. Gruen, et al. Ultrananocrystalline diamond thin films for MEMS and moving mechanical assembly devices // Diamond and Related Materials. V. 10. 2001. P. 1952-1961.
  31. R. Arenal, P. Bruno, D.J. Miller, M. Bleuel, J. Lal, D.M. Gruen. Diamond nanowires and the insulator-metal transition in ultrananocrystalline diamond films. // Physical Review B. V. 75. 2007. P. 195431-1 – 195431-7.
  32. P. Zapol, M. Sternberg, L.A. Curtiss, T. Frauenheim, D.M. Gruen. Tight-binding molecular-dynamics simulation of impurities in ultrananocrystalline diamond grain boundaries. // Physical Review B. V. 65. 2001. P. 045403.
  33. F. Benedic, F. Mohasseb, P. Bruno, F. Silva, G. Lombardi, K. Hassouni, A. Gicquel, Synthesis of nanocrystalline diamond films in Ar/h3/Ch5 microwave discharges, in D.M. Gruen et al (eds), Synthesis, Properties and Applications of Ultrananocrystalline Diamond, Springer, 2005, pp. 79-92.
  34. D.M. Gruen, Nanocrystalline diamond films, Annu. Rev. Mater. Sci. 29 (1999) 211-259.
  35. S. Bhattacharyya, O. Auciello, J. Birrell, J.A. Carlisle, L.A. Curtiss, A.N. Goyette, D.M. Gruen, A.R. Krauss, J. Schlueter, A. Sumant, P. Zapol, Synthesis and characterization of highly-conducting nitrogen-doped ultrananocrystalline diamond films,  Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 1441-1443.
  36. T.D. Corrigan, D.M. Gruen, A.R. Krauss, P. Zapol, R.P.Y. Chang, The effect of nitrogen addition to Ar/Ch5 plasmas on the growth, morphology and field emission of ultrananocrystalline diamond, Diamond Relat. Mater., 11 (2002) 43-48.
  37. T. Zimmerman, M. Kubovich, A. Denisenko, K. Janischowsky, O.A. Williams, D.M. Gruen, E. Kohn, Ultra-nano-crystalline/single crystal diamond heterostructure diode, Diamond Relat. Mater. 14 (2005) 416-420

Метки

Алмазная пленка, Алмазы, Плазма, Плазмотрон, Получение, Технологии

as-pp.ru

Алмазная пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Алмазная пленка

Cтраница 1

Алмазные пленки с преимущественной ориентацией микрокристаллитов, которые называют ориентированными или текстурированными, были получены на монокристаллических подложках из кремния, никеля, кобальта, SiC, кубического BN, иридия и платины ( см. [59]), однако гетероэпитаксиальные монокристаллические алмазные пленки с диаметром более 1 мм не были получены вплоть до последнего времени. Монокристаллические Ir и Pd являются одними из наиболее перспективных материалов, которые рассматриваются как подложки для гетероэпитаксиального роста монокристаллических алмазных пленок. Кроме того, оба вещества не образуют карбидов и достаточно слабо растворяют углерод. Получены гетероэпитаксиальные пленки размером до 5 мм.  [1]

Эпитаксиальные алмазные пленки, очевидно, могут быть получены лишь в условиях, когда скорость роста алмаза много больше скорости роста графита. Это также возможно, если подобрать некоторый гипотетический травитель, который не действовал бы на алмаз, но газифицировал зародыши графита. Все усилия по синтезу эпи-таксиальных алмазных пленок направлены именно на подавление роста графита при сохранении значительной скорости роста алмаза.  [2]

Рост алмазных пленок возможен и при более низких температурах, но при очень малой концентрации метана в смеси с водородом.  [3]

Первые попытки получения алмазных пленок были связаны с наращиванием крупных монокристаллов алмаза ( с линейным размером 3 - 4 мм) в тех же условиях, что и алмазных порошков. Небезынтересно отметить, что при этом на алмазных монокристаллах получены линейные скорости роста, значительно превышающие линейные скорости роста частиц алмазных порошков.  [4]

С помощью импульсного способа кристаллизации наращены эпи-таксиальные алмазные пленки, получены нитевидные и изометрич-ные кристаллы алмаза.  [5]

По-видимому, наиболее экономичным является создание алмазных пленок методами газофазного осаждения с одновременным легированием их бором. При осаждении таких пленок возникает ряд проблем. Одна из них связана с тем, что алмазная пленка - поликристаллическая, что приводит к неоднородности растущей поверхности, дополнительному рассеянию света гранями, гетерированию дефектов поверхностью микрокристаллов. Последнее, в свою очередь, может привести к изменению механизма электрической проводимости.  [6]

Впервые предложен и реализован способ получения алмазных пленок методом лазерного испарения УДА. Исследованы режимы испарения УДА в случае рубинового ( Х694 нм) и неодимового ( Х1060 нм) лазеров.  [7]

Зато появилась надежда получать224 из фуллерена апмазы и алмазные пленки.  [8]

С использованием УДА пленки как зародышевого слоя получены алмазные пленки улучшенного качества методом химического плазменного осаждения: тонкие, однородные. Получены качественные алмазные пленки с хорошей адгезией на образцах карбида вольфрама, пригодные для практического использования в качестве режущих инструментов.  [9]

Среди современных материалов па алмазной основе особое место занимают алмазные пленки.  [10]

Методы химического парового осаждения ( CVD) позволяют получать алмазные пленки.  [11]

Разработанные к настоящему времени технологии получения высокочистых монокристаллов алмаза с заданными свойствами и алмазных пленок открывают новые перспективы их использования при изготовлении оптических окон для мощных лазеров и оптических приборов, теплоотводов, элементной базы для создания мощных транзисторов и различного рода датчиков, в частности, датчиков радиационного излучения.  [12]

Уменьшение величины порогового автоэмиссионного поля связано с резким уменьшением концентрации х / - связей и слабым увеличением концентрации яр2 - связей в алмазной пленке. Следует заметить, что хотя определенное количество зр2 - связей требуется для проявления автоэмиссии из алмазной пленки, но этого совершенно недостаточно для появления автоэмиссии при низких пороговых полях.  [14]

Страницы:      1    2    3

www.ngpedia.ru

Алмазными пленками научились покрывать любые поверхности

Европейские физики создали метод нанесения алмазных пленок нанометровой толщины на подложку из практически любого материала. В качестве тестовых образцов они создали несколько электронных устройств, а также механических резонаторов. Препринт работы выложен на сайте arxiv.org.

Авторы получали алмазные пленки на основе кварцевого субстрата, «усеянного» нано-алмазами, выступавшими в качестве зародышей будушей пленки. В качестве основного метода использовалось плазменно-химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ): субстрат помещался в водородную плазму с небольшой концентрацией метана, система поддерживалась при темпераутре 510-560 градусов Цельсия и давлении 33-40 миллибар.

Ключевой особенностью работы стала следующая идея авторов: условия роста пленки (температура, давление, наличие примесей) можно подобрать так, что по достижению определенной толщины она начнет трескаться. С одной стороны это ведет к тому, что нельзя получить алмазную пленку большой толщины, с другой стороны, таким путем можно добиться отслаивания фрагментов пленки от субстрата. Затем фрагмент нужного размера и формы можно поднять при помощи клейкой ленты и поместить на любую подложку, после чего ленту аккуратно отклеить: на этот процесс нужно около десяти минут.

Слева: выбор подходящего фрагмента пленки.Справа: постадийный процесс переноса алмазной пленки на подложку.

препринт

Для демонстрации концепта авторы создали два электрода на основе алмазной пленки, допированной атомами бора. Также они сделали несколько механических резонаторов из кварцевой подложки с отверстием заданного диаметра, на которую помещали алмазную пленку, которая выступала как барабанная мембрана. Измеренные характеристики всех демонстрационных устройств находились в соответствие с литературными данными и теоретическими представлениями для аналогов, на основании чего авторы выносят положительный вердикт своей работе.

Сам по себе синтез алмазных нанопленок не является новой идеей. Такие объекты сравнительно давно известны благодаря своим уникальным набором свойств: огромная теплопроводность, полупроводимость (если их допировать атомами других элементов), механическая прочность, прозрачность, биологическая инертность, доступность для химической модификации, — это только часть списка. Однако их применение ограничивается сложностью синтеза, а именно той его части, где пленку надо отделить от субстрата и поместить на нужную подложку. Именно эту проблему решает настоящая работа. Однако авторы видят и ограничения: так, выбор подходящего фрагмента пленки осуществляется при помощи оптического микроскопа и занимает достаточно много времени, что исключает возможность автоматизации. Тем не менее, в областях, где важны точные свойства, а не крупнотоннажность, новый метод может найти свое применение.

В очередной раз стоит отметить использование клейкой ленты в научных открытиях: в предудущем случае «скотч» прославился в открытии графена нобелевскими лауреатами Александром Геймом и Константином Новоселовым. В этот раз главным героем работы выступал не он, а специально синтезированная лента из полидиметилсилоксана (ПДМС), однако идея и концепция остались прежними.

nplus1.ru

Алмазные пленки

         

Алмазные пленки

СОДЕРЖАНИЕВведение 3Синтез углеродных алмазоподобных пленок ионным методом 3Метод ионно-лучевого осаждения 3Описание установки 6Характеристики ионного источника 8Синтез алмазных пленок при взаимодействии низкотемпературной плазмы с поверхностью молибдена 10Экспериментальная установка 11Литература 13ВВЕДЕНИЕАлмаз - самый твердый материал из всех ныне известных, и в наименьшей степени, чем какой-либо другой материал, поддается сжатию. Алмаз обладает также большой теплопроводностью при комнатной температуре, и если в нем нет дефектов и посторонних включений, это один из самых прозрачных для видимого света материал.Свойства алмаза обусловлены его необычной кристаллической структурой. Помимо чисто научного интереса необычные свойства алмаза делают его весьма полезным для технических целей. Этот драгоценный камень широко используется как абразив в промышленности, в промышленности, как режущий инструмент в хирургии и как теплоотвод в электронных приборах. Установлено, что алмазы, содержащие различные примеси, ведут себя как полупроводники. Но природные кристаллы слишком малы и дороги для практического применения. Сейчас положение в этой области исследования меняется. В течении последних лет специалисты разработали немало технологических приемов осаждения алмазных пленок толщина которых лежит от сотен ангстрем до нескольких миллиметров. Синтез алмазных и алмазоподобных пленок является актуальной задачей на сегодняшний день.Тонкие алмазные пленки привлекают к себе все большее внимание благодаря таким уникальным свойствам, как чрезвычайно высокая твердость, высокая теплопроводность, прозрачность в широком оптическом диапазоне, большое удельное сопротивление. Кроме того, алмазные пленки со специально введенными примесями могут использоваться в качестве полупроводниковых материалов. В большинстве случаев специфические свойства пленок обусловливаются различными типами дефектов, многие из которых могут быть обнаружены с помощью ЭПР. Однако их идентификация сталкивается с огромными трудностями, поскольку микрокристаллиты в этих пленках, как правило, частично ориентированы. Более определенными в этом отношении оказываются полностью неупорядоченные поликристаллические алмазы, карбонадо.ССМ изображение алмазоподобной пленки на поверхности стекла. Размер скана 286x280 нм.СИНТЕЗ УГЛЕРОДНЫХ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПЛЕНОК ИОННЫМ МЕТОДОМ.Метод ионно-лучевого осажденияОдним из основных достоинств метода осаждения из ионных пучков является возможность получения веществ, не существующих в природе или находящихся при нормальных условиях в метастабильном состоянии (например, алмаз, карбид кремния).Ранее такие материалы получали только при высоких давлениях и температуре или в сильных ударных волнах. Рост пленки при ионно-лучевом осаждении позволяет получать плотные кристаллические модификации, не прибегая к традиционным методам. Существует большое количество веществ имеющих ряд устойчивых кристаллических модификаций. В каждом состоянии решетка будет обладать своим минимумом свободной энергии. Так для углерода существует несколько устойчивых модификаций соответствующих графиту, алмазу, металлическому углероду и другим плотным алмазоподобным структурам. В таком случае обеспечить ионам энергию, необходимого для преодоления потенциального барьера, отделяющего одну кристаллическую фазу от другой, можно простым регулированием потенциала подложки. Причем разброс ионов по энергии не должен превышать разность в высоте потенциальных барьеров, разделяющих две близких кристаллических модификации. Максимальная энергия падающих ионов определяется энергетическим порогом дефектообразования (для алмаза 60-80 эВ). С учетом возможной потери энергии падающих ионов и диапазон их энергетического распределения является важнейшим, но не единственным условием, т.к. механизм взаимодействия при синтезе материалов из энергетических ионных пучков сложен. Осаждение иона на поверхность сопровождается релаксационными колебаниями, разогревом поверхности за счет выделения энергии. Перечисленные эффекты, безусловно, не охватывают весь комплекс явлений сопровождающих процесс конденсации. Действие некоторых из них будет отрицательным для синтеза. Воздействовать на степень того или иного эффекта можно различными путями, например, изменять температуру подложки или условия подлета ионов к поверхности или одновременно с осаждением ионов облучать поверхность электронными или ионными пучками. В исследовании источником ионов является прототип космического электрореактивного двигателя (ЭРД), который в литературе называют ускорителем с анодным слоем и азимутальным дрейфом (УАД). В УАД разгон ионов происходит в квазинейтральной плазме, а потому могут быть получены более высокие, чем обычно, значения плотностей ионного тока. УАД обладает также рядом других достоинств: универсальностью к рабочему веществу, возможностью управления потока и т.д. Принципиальная схема источника показана на рис.1. Со стороны анода в ускоритель поступает поток ионов, которые создаются вблизи анода путем ионизации нейтральных атомов. Металлические стенки ускорительного канала находятся под катодным потенциалом. Магнитная система создает в кольцевом зазоре ускорителя радиальное магнитное поле, постепенно спадающее в области анода и у среза ускорителя. Магнитное поле в основном имеет поперечную компоненту, а электрическое - продольную, поэтому такие системы называют еще ускорителями в скрещенных электрических и магнитных полях или ВЕ разрядом. В скрещенных В и Е полях на электроны действует сила Лоренца, вызывая их дрейф в азимутальном направлении. В результате, в кольцевом зазоре формируется двойной азимутально-однородный электрический слой. В этих условиях подвижность электронов поперек магнитного поля резко ограничена и внешнее электрическое поле совершает работу главным образом над ионами, ускоряя их вдоль оси системы.Рис.1 Источник ионов (ЭРД). 1.-магнитопровод. 2.-анод. 3.-металлическая оболочка-катод. 4.-изолятор. 5.- канал для подвода рабочего вещества.Ток и энергия пучка ускоренных частиц - это основные характеристики ускорителя любого типа, позволяющие определить производительность установки и возможность ее использования в том или ином производственном процессе или эксперименте. Цилиндр Фарадея - это наиболее распространенный прибор, используемый в качестве первичного эталонного прибора для измерения токов пучков заряженных частиц. При измерении тока, пучок частиц попадает на изолированный от окружающих предметов электрод, который задерживает частицы пучка и почти все вторичные частицы, образующиеся при столкновении частиц пучка с материалом электрода.Основные достоинства рассматриваемого метода - высокая точность и возможность измерения весьма малых токов. К недостаткам цилиндра Фарадея относятся большие размеры и невозможность получить информацию о токе пучка, не нарушив его. Принципиальная схема цилиндра Фарадея показана на рис.2. Рис.2 Зонд для измерения плотности тока.Описание установки.Схема используемой установки для напыления пленок показана на рис.3. В рабочий откачиваемый объем помещен источник ионов (1), формирующий поток ионизированного газа. Перед соплом источника крепится подложка (2) - пластина монокристалла кремния, нагреваемая пропусканием постоянного тока. Рис.3 Схема установки.Температура подложки определялась по температурной зависимости сопротивления кремня, измеренной в ходе предварительной работы. Характеристики ионного источникаПри работе с ионным источником необходимо знать его характеристики. На рис.4,5 представлены зависимости плотности ионного тока в зависимости от расстояния до источника и угла в плоскости оси источника соответственно. Рис.4 Зависимость плотности плотности тока пучка ионов от расстояния до источника.Скорость роста пленок в подобных экспериментах малы. Помещая подложку в область с максимальной плотностью падающих частиц, увеличивается скорость осаждения. Зная геометрическое распределение потока можно оценить неоднородность толщины напыленной пленки или принять специальные меры для ликвидации этой неоднородности.Рис.5 Зависимость плотности тока пучка ионов от угла.СИНТЕЗ АЛМАЗНЫХ ПЛЁНОК ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ С ПОВЕРХНОСТЬЮ МОЛИБДЕНАОсобый интерес для синтеза алмазных плёнок представляют плазменные "тонкоплёночные" технологии, которые позволяют получать плёнки высокого качества [2,3]. Как правило, это вакуумные способы. В работах [4,5] описан плазменный метод синтеза алмазных поликристаллических плёнок при горении ацетилена в кислороде при атмосферном давлении.Одна из важных проблем при получении покрытий данным способом связана со стабильностью свойств плёнки при нормальных условиях после её охлаждения (адгезия, например). Необходимо оптимизировать теплофизические условия синтеза, среди которых - понижение температуры подложки - одна из основных проблем. Установлено, что для синтеза плёнок оптимальная температура подложки (Мо, Si ): Тп = 1070-1300К [6 -14]. Тем не менее возникают вопросы, связанные с точностью измерения температуры поверхности. При использовании пирометрического двух-лучевого способа измерения необходимы поправки с учетом свойств пламени и оптических свойств изменяющейся растущей углеродной плёнки. Термопарный метод так же нуждается в поправках, связанными с теплофизическими свойствами подложки и способами крепления термопары. Известно, что пламенный метод характеризуется значительными тепловыми потоками ( > 2 Mвт/м2) и температура поверхности роста может существенно отличаться от измеряемой температуры подложки. Важно определить температуру поверхности на начальной стадии роста, когда монокристаллы растут свободно: перед тем, как вырастет сплошная плёнка. Такой подход позволит лучше понять механизм зарождения алмазной плёнки. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКАУстановка позволяет провести исследования при известных [6-14] условиях синтеза: температура подложки - от 300 до 1500 К; расход газов: 1 - 4 л /мин и их отношение: R = О2 /C2h3 - до 2.5; расстояние между ядром пламени и подложкой - более 0.5мм. На рис.1 изображены: горелка - 1 (диаметр сопла: 1мм) над поверхностью подложки - 2, помещенной в теплообменник - 3 с зажимами - 4; теплоизолятор - 5 между подложкой и теплообменником, укреплённым на координатнике - 6; термопара - 7 вставлена в тело подложки и поджата пружинами - 8; измерители расхода воды - 9 и газов -10. В качестве материала подложки использовали молибденовые цилиндры (высота 5 и диаметр 10 мм). Спай термопары прижимался к подложке с помощью пружин. Проведенное исследование с помощью теплового датчика показало, что температура поверхности выше температуры подложки в точке измерения не более чем на 17 К при Тп = 900 К, а ошибка в измерении температуры, связанная со способом крепления термопары в молибденовой подложке, не превышает 60К при температуре 900К и определялась по точкам плавления химически чистого олова и меди в качестве реперов в специальном эксперименте. Поверхностный слой плёнок исследовался на спектрометре комбинационного рассеяния (КР) "TRIPLEMATE (SPEX - USA) и на сканирующем электронном микроскопе "Fillips". При электронно-графическом исследовании на просвечивающем микроскопе "Jeol - 100 СX" для калибровки использовали частицы золота и природные алмазы.Рис. 1. Схема экспериментальной установки.Литература1. АЛМАЗ в электронной технике. Сборник статей. Отв. ред. В.Б. Квасков. Москва, Энергоатомиздат. 1990 г. 245стр.2. Рассеяние света в твёрдых телах. Под. ред. М. Кардона и Г. Гюнтеродта// Вып. 3, М.: Мир, 1985.3. В.А. Черепанов, А.С. Золкин, Б.А. Колесов, К.Т. Мурзахметов, B.И. Семёнов. АЛМАЗОПОДОБНЫЕ ГРАНУЛИРОВАННЫЕ ПЛЁНКИ НА КРЕМНИИ, ПОЛУЧЕННЫЕ ПРИ ГОРЕНИИ АЦЕТИЛЕНА.http://www.nsu.ru/cgi-in/psj?fname=http://src.nsu.ru/win/journals/phys_stud/articles/paper5.html2

studfiles.net

Виниловая алмазная крошка для автомобиля: плюсы и минусы

Оклейка «железного коня» пленкой получила огромную популярность у российских автолюбителей. Наверное, каждая третья машина пестрит глянцевым, карбоновым или матовым покрытием, и этим сегодня никого не удивить. Не так давно на автомобильном рынке появилась виниловая пленка улучшенного качества с безграничными возможностями и отменными внешними данными. Дорогое эксклюзивное покрытие под названием алмазная крошка меняет экстерьер авто. Чем же оно так уникально? Давайте разберемся.

Детальное описание

алмазная крошка

Виниловая алмазная крошка на авто – отличный вариант для машины люкс-класса. Безупречно она смотрится на отечественном ВАЗе и автомобиле иностранного производства. Любую марку приукрасит роскошная клеевая основа с алмазным напылением. Только представьте, как ваша «красавица» будет переливаться сотнями драгоценных камней под солнечными лучами – такой тюнинг не оставит без внимания ни один автолюбитель.

Внешне она напоминает текстурное матовое покрытие, только с приятной шероховатостью. Придают роскошную бугристость миллионы микроскопических блесток. Именно они задают тон экстерьеру. Интересный факт – в пасмурный день алмазная крошка выглядит как обычная матовая пленка, а в солнечную погоду «загорается», как звездочка, тысячами мелких кристалликов. Теперь вы поняли, откуда такое название.

Надо заметить, что сфера ее применения огромна. Обрабатывают ею не только корпус машины, еще покрытие идеально подходит в качестве декорирования оргтехники, мебели и гаджетов. Кстати, ее можно сочетать с другими видами пленок и комбинировать цвета. Смотрится креативно и ярко.

Как выбрать

алмазная крошка на авто

Виниловые покрытия бывают нескольких типов. Совсем тонкая пленка используется для оформления рекламных баннеров, и для оклеивания она не подходит (быстро порвется). Выбирать нужно по толщине. Качественная алмазная крошка должна быть не меньше 100 микрон. Такая клеевая основа прослужит вам долго и защитит от погодных явлений (атмосферных осадков и ультрафиолетового излучения).

При выборе стоит обращать внимание на компанию-производителя. Выбирайте фирму, которая применяет только высокотехнологичное оборудование. Также следует учитывать прочность, тип клеевого слоя и эластичность покрытия. Перед покупкой лучше проконсультируйтесь со знающим человеком, чтобы не ошибиться в выборе и не переплатить.

Основные преимущества

Виниловая пленка с алмазным напылением скроет лакокрасочные неточности, царапины и потускнения. Она придаст «железному коню» блеска, шарма и богатства. Это лучшая альтернатива остальным покрытиям. Срок ее эксплуатации вас удивит - он составляет около пяти лет.

Она износостойка и выдерживает как высокие, так и низкие температуры. Пленка-хамелеон выпускается в разных цветовых решениях, поэтому каждый сможет подобрать оттенок по душе. Она имеет достаточно эластичную структуру и отлично тянется, что позволяет оклеивать даже большие детали, не прилагая особых усилий.

Недостатки

алмазная крошка пленка фото

Алмазная крошка имеет несколько минусов. Если ваш автомобиль был неровно покрашен, то во время снятия пленки вся краска останется на ней. Специалисты не рекомендуют наносить ее частично, поскольку при выгорании автомобильного покрытия и удалении клеевого слоя машина будет некрасиво смотреться. Нельзя мыть оклеенную машину сильным напором воды, так как возможно отслоение и повреждение крошки.

Стоимость

У разных производителей стоимость отличается. В среднем около 400-700 руб/метр стоит алмазная крошка. Пленка (фото представлено в статье) на виниловой основе придаст оригинальности и подчеркнет вашу индивидуальность. Доверьте работу настоящему мастеру. Ведь неправильное нанесение без необходимых навыков и инструментов приведет не только к повреждению лакокрасочного покрытия, но и к образованию складок и быстрому износу самой клеевой основы.

fb.ru

Способ получения алмазных пленок методом газофазного синтеза

 

Изобретение относится к области получения высокоэффективных пленок для получения эмиттеров электронов. В способе получения алмазных пленок методом газофазного синтеза, включающим нагрев металлической нити и подложки в потоке водорода, подачу углеродосодержащего газа в поток и осаждение алмазной пленки на подложке в смеси водорода с углеродосодержащим газом, удаление излишков графитовой фазы в водороде, металлическую нить нагревают до 1800-2800°С, подложку нагревают до 600-1000°С, проводят осаждение через защитный сетчатый экран, расположенный между металлической нитью и подложкой и нагретый до 800-2000°С, при концентрации углеродосодержащего газа в газовом потоке 2-10% и давлении газовой смеси 5-300 Торр. Техническим результатом является получение нанокристаллических алмазных пленок с высокими электронно-эмиссионными характеристиками. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области получения высокоэффективных пленок для полевых эмиттеров электронов, которые могут быть использованы для создания плоских дисплеев, в электронных микроскопах, СВЧ-электронике и ряде других приложений.

Известен способ создания пленок аморфного алмаза методом лазерного распыления, В этом способе образование пленки происходит на холодной подложке за счет углерода, испаряемого из графитовой мишени излучением мощного лазера. Однако недостатком способа является низкая плотность эмитирующих центров (103 на см2 при электрическом поле 20 В/мкм), что явно недостаточно для создания полноцветного монитора с 256 градациями яркости, а также его сложность, дороговизна, существенные трудности при масштабировании. Известен способ получения алмазных пленок методом газофазного синтеза с термической активацией газов "горячей нитью" из смеси водорода с углеродосодержащим газом [1]. Этим способом алмазные пленки получались на кремниевых и других подложках, расположенных в потоке газа под раскаленной вольфрамовой нитью. В качестве углеродосодержащих газов использовались ацетон, различные спиртовые и эфирные соединения, метан. Способ осуществлялся при концентрации углеродосодержащих газов 0.5-10%. Температуры нагрева подложки - более 650oC, а нити - более 2000oC. При таких параметрах способа осаждаемые пленки имеют поликристаллическую структуру с микронными размерами микрокристаллов и не обладают необходимыми эмиссионными характеристиками. Основой для использования алмазных материалов в качестве холодных эмиттеров электронов является свойство отрицательного электронного сродства, присущее алмазу. Получаемые описанными способами алмазные пленки не обладают эмиссионными свойствами, достаточными для создания катода для полноцветного монитора, поскольку плотность эмитирующих центров таких пленок не более 103 на см2, в то время как требуется более 105. До настоящего времени все попытки создать высокоэффективный эмиттер электронов на основе поликристаллических алмазных пленок нельзя считать успешными, в частности, в связи с крайне низкой плотностью эмитирующих центров. Целью предлагаемого изобретения является получение нанокристаллических алмазных пленок с высокими электронно-эмиссионными характеристиками. Предлагаемый способ получения алмазных пленок методом газофазного синтеза заключается в нагреве металлической нити и подложки в потоке водорода, подаче углеродосодержащего газа в поток и осаждении алмазной пленки на подложке в смеси водорода с углеродосодержащим газом и удалении излишков графитовой фазы. Отличием от прототипа является то, что металлическую нить нагревают до 1800-2800oC, подложку нагревают до 600-1000oC, проводят осаждение через защитный сетчатый экран, расположенный между металлической нитью и подложкой и нагретый до температуры 800-2000oC при концентрации углеродосодержащего газа в газовом потоке 2-10% и давлении газовой смеси 5-300 Торр. В частном случае выполнения изобретения в качестве углеродосодержащего газа используют метан с концентрацией 2-8% в газовом потоке. При осаждение алмазной пленки на кремниевой подложке перед осаждением пленки проводят удаление естественного окисла кремния с подложки в потоке водорода при температурах нити и подложки, необходимых для осаждения, создают на подложке слой карбида кремния, при подаче в газовый поток 5-20% метана в течение 4-20 минут, после осаждения алмазной пленки при концентрации метана в газовом потоке до 2-8% удаляют излишки графитовой фазы. При реализации данного способа может быть использована комбинация из нескольких токопроводящих нитей, например, расположенных параллельно друг другу. Предлагаемый способ позволяет осаждать алмазные пленки как на токопроводящие, так и на диэлектрические подложки, а также на кремниевую подложку, которая при нагреве в указанном диапазоне температур приобретает проводящие свойства. Основной функцией защитного сетчатого экрана является изменение соотношения концентраций химических радикалов вблизи поверхности подложки за счет эффективной гибели некоторых из них (особенно атомарного водорода) на стенках сетки. Такие химические процессы особенно эффективно происходят при температурах сетки 800 - 2000oC. В качестве защитного экрана, располагаемого между поверхностью подложки и металлической нитью, может быть использована сетка из любого тугоплавкого материала, исходя из требований высокотемпературной стойкости до 1500oC и низкой распыляемости. Размеры сетки выбираются исходя из размеров осаждаемой пленки. Диаметр отверстий или размер ячейки сетки, расстояние между ними выбираются, исходя из наибольшей прозрачности сетки. Диаметр отверстий меньше 0.1 мм приводит к сильному уменьшению прозрачности сетки, а более 5 мм при толщине сетки 1-2 мм к заметному снижению влияния ее стенок на соотношение химических радикалов вблизи поверхности подложки. Минимальный размер толщины сетки не ограничен, однако он должен обеспечивать физическую прочность и стойкость к термическим нагрузкам без существенных изгибов плоскости сетки. Увеличение ее толщины приводит к усилению влияния стенок сетки на соотношение химических компонент и тем самым к снижению скорости роста пленки. Таким образом, последствия увеличения толщины сетки можно компенсировать увеличением диаметра отверстий или размером ячейки. Расстояние между сеткой и поверхностью подложки в нижнем пределе не ограничено, т. е. сетка может располагаться непосредственно на подложке (в этом случае топология получаемой алмазной пленки будет повторять рисунок сетки), а в верхнем пределе ограничено горячей нитью, температура которой может быть более 2000oC. Нагрев металлической нити осуществляется в диапазоне температур 1800 - 2800oC, исходя из того, что при температуре ниже 1800oC все химические процессы резко замедляются, а выше 2800oC происходит быстрая карбидизация нити, что приводит к изменению ее физических свойств и быстрому выходу ее из строя. Материал нити выбирается, исходя из требований высокотемпературной стойкости в области 2800oC, низкой распыляемости и химической активности в потоке водорода с углеводородным газом. Как правило, это вольфрамовая, танталовая или рениевая проволока, длина которой выбирается из практической необходимости. Увеличение толщины проволоки приводит к увеличению химической активности нити, однако следует иметь в виду, что эта толщина может быть ограничена возможностями имеющегося в наличии источника питания. При нагреве подложки ниже или выше диапазона температур 600-1000oC на поверхности образуется либо графит, либо алмазная пленка с крупнозернистой структурой, обладающая неудовлетворительными эмиссионными свойствами. При использовании концентрации углеродосодержащего газа ниже 2% эмиссионные свойства выращенной пленки резко ухудшаются, а выше 10% на поверхности подложки растет только графит. Аналогичное обоснование относится и к метану. При этом полное давление газа в камере находится в диапазоне 5-300 Торр. При работе ниже указанного диапазона давлений на поверхности подложки, в основном, будет образовываться графит, а выше - рост пленки вообще затруднителен из-за увеличения скорости процессов рекомбинации радикалов на сетке. При осаждении на кремниевую подложку время создания карбидного слоя меньше 4 минут недостаточно для создания равномерно распределенного по поверхности слоя, а при толщинах слоя, получаемых за время больше 20 минут, сказывается отрицательное влияние слоя на адгезию алмазной пленки к подложке. При концентрации метана ниже 5% рост карбидного слоя затруднителен, а выше 20% - преимущественно растет графит. Изобретение поясняется чертежами, где на фиг.1 представлена схема установки газофазного осаждения, на которой осуществляется способ, на фиг.2 представлено электронно-микроскопическое изображение алмазной пленки. Установка содержит камеру-реактор (1), корпус которой выполнен из кварцевой трубы, с обоих концов корпус уплотнен торцевыми фланцами (2) и (3). Торцевые фланцы (3) помимо водяного охлаждения имеют изолированные токовводы (4) для подачи питания от источников (5) и (6) на металлическую нить (7) и нагреватель подложки (8). Сама подложка (9) располагается на подложкодержателе (10) и отделена от металлической нити (7) защитной сеткой (11), которая устанавливается на шайбе (12). Путем замены шайбы на шайбу другого размера можно менять зазор между сеткой (11) и поверхностью подложки (8). Откачка камеры осуществляется форвакуумным насосом (13), а напуск газа - через отдельные измерители-регуляторы расхода газа (14), смеситель газового потока (15) и натекатель (16). Температура нити контролируется оптическим пирометром (на фиг.1 не показан), а температура подложкодержателя - с помощью термопары (17), вмонтированной в подложкодержатель (10). Контакт к термопаре осуществляется с помощью изолированного токоввода, аналогичного токовводу (4). Способ осуществляется следующим образом. Камера (1) откачивается до необходимого вакуума, затем в камеру подается газ водород и с помощью измерителя-регулятора расхода газа (14) устанавливается требуемый поток водорода в камеру. После фиксации нужного значения потока водорода устанавливается требуемое давление в камере с помощью натекателя (16). Когда установлены поток газа и его давление, подают питание на нагреватель подложки (8) и металлическую нить (7). Регулируя выходное напряжение источника питания (5), устанавливают требуемую температуру металлической нити (7). После этого устанавливают температуру подложки (8) с помощью источника питания (6). По достижении стационарных значений температур металлической нити (7) и подложки (8) подают углеродосодержащий газ (например, метан) в требуемом соотношении с водородом через отдельный измеритель-расходомер (14). С этого момента начинается процесс осаждения алмазной пленки. После достижения определенной толщины пленки процесс осаждения прекращают, для чего прекращают подачу углеродосодержащего газа (например, метана) и производят отключения в обратном порядке. После выращивания пленки необходимой толщины (обычно несколько микрон) проводят отжиг пленки в водороде при том же температурном режиме для удаления графитового слоя с поверхности пленки в течение 4-20 минут. Примеры реализации способа при осаждении алмазной пленки. Металлическая нить выполнялась из вольфрамовой проволоки толщиной 0.5 мм. Пример 1. Осаждение алмазной пленки на кремниевую подложку. В качестве подложки использовался кремний, который предварительно был обработан одним из стандартных способов для увеличения концентрации центров нуклеации. Температура подложки при осаждении 680-850oC. Температура нити 2100-2200oC. Расстояние от нити до сетки 1-6 мм, а от поверхности подложки до сетки 0.1-2 мм. Следует отметить, что увеличение расстояния от нити до поверхности подложки резко уменьшает скорость осаждения из-за уменьшения по мере приближения к подложке концентрации химических радикалов, образующихся вблизи нагретой металлической нити. Процесс осаждения на кремниевую подложку включал следующие стадии. Камера откачивалась до остаточного давления 10-4 Торр, после чего в нее напускался водород до давления 10-80 Торр. Включалось питание нити и нагревателя подложки. Обеспечивался нагрев нити и подложки до необходимых температур. В течение 4-20 минут в водороде происходило удаление окисла кремния. После этого в газовый поток добавлялся метан (5-20%) и в течение 10-20 минут происходило образование слоя карбида кремния. Этот слой необходим как для увеличения адгезии алмазной пленки к кремнию, так и для улучшения условий инжекции электронов из кремния в алмазную пленку. Затем концентрация метана снижалась до 2-8% и происходил рост алмазной пленки со скоростью 0.5 мкм/ч. После выращивания пленки необходимой толщины (обычно 1 мкм) поток метана отключался и происходил отжиг пленки в водороде для удаления графитового слоя с поверхности пленки в течение 4-10 минут. Пример 2. Процесс осаждения алмазной пленки на металлах. Процесс несколько отличается от процесса осаждения на кремниевую подложку, что связано с различной химической активностью металлов и кремния. Процесс откачки камеры, напуска газа и разогрев нити и подложки аналогичен примеру 1. Однако стадии удаления окисла - не требуется. После этого в газовый поток добавлялся метан (2-5%) и происходил рост алмазной пленки со скоростью 0.2-0.5 мкм/ч. Из-за высокой скорости карбидообразования у таких металлов, как молибден, вольфрам, тантал, специальной стадии образования карбидного слоя не требуется. После выращивания пленки необходимой толщины (обычно 1 мкм) поток метана отключался и происходил отжиг пленки в водороде для удаления графитного слоя с поверхности пленки. В результате образовывалась нанокристаллическая алмазная пленка. Электронно-микроскопическое изображение этой пленки (фиг. 2) подтвердило, что пленка действительно нанокристаллическая. Это же подтвердили исследования с помощью сканирующего туннельного микроскопа. Из рентгеновской дифрактограммы пленки видно, что пленка алмазная с размером областей когерентного рассеяния порядка 10-50 нм. Вольт-амперные характеристики показали порог эмиссии всего несколько вольт на микрон. Данные, полученные по свечению люминофора, показали однородное распределение электронной эмиссии по поверхности пленки. Достигнута плотность тока 100 mA/см2, концентрация эмитирующих центров 105 на см2. Характеристики алмазной пленки, полученной при осаждении на металлическую подложку, аналогичны характеристикам алмазных пленок, полученных при осаждении на кремниевую подложку. Литература. 1. Synthesis of Diamond Thin Films by Thermal CVD Using Organic Compaunds. Japanese Journal of Applied Physics, v.25, n.6, 1986, p. L519-L521.

Формула изобретения

1. Способ получения алмазных пленок методом газофазного синтеза, включающий нагрев металлической нити и подложки в потоке водорода, подачу углеродосодержащего газа в поток и осаждение алмазной пленки на подложке в смеси водорода с углеродосодержащим газом, удаление излишков графитовой фазы в водороде, отличающийся тем, что металлическую нить нагревают до 1800 - 2800oС, подложку нагревают до 600 - 1000oС, проводят осаждение через защитный сетчатый экран, расположенный между металлической нитью и подложкой и нагретый до температуры 800 - 2000oС, при концентрации углеродосодержащего газа в газовом потоке 2 - 10% и давлении газовой смеси 5 - 300 Тор. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве углеродосодержащего газа используют метан с концентрацией 2 - 8% в газовом потоке. 3. Способ по п.2, отличающийся тем, что осаждение алмазной пленки проводят на кремниевой подложке, перед осаждением пленки проводят удаление естественного окисла кремния с подложки в потоке водорода при температурах металлической нити и подложки, необходимых для осаждения, создают на подложке слой карбида кремния при подаче в газовый поток 5 - 20% метана в течение 4 - 20 мин, уменьшают концентрацию метана в газовом потоке до 2 - 8% проводят осаждение алмазной пленки и удаляют излишки графитовой фазы.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2

MM4A Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины заподдержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 17.07.2009

Дата публикации: 27.08.2011

www.findpatent.ru

Алмазные пленки

CoolReferat.com

СОДЕРЖАНИЕ

Введение............................................................................... 3

Синтез углеродных алмазоподобных пленок ионным

методом................................................................................. 3

Метод ионно-лучевого осаждения.................................... 3

Описание установки........................................................... 6

Характеристики ионного источника............................... 8

Синтез алмазных пленок при взаимодействии низкотемпературной плазмы с поверхностью молибдена........................................... 10

Экспериментальная установка......................................... 11

Литература........................................................................... 13 ВВЕДЕНИЕ

Алмаз - самый твердый материал из всех ныне известных, и в наименьшей степени, чем какой-либо другой материал, поддается сжатию. Алмаз обладает также большой теплопроводностью при комнатной температуре, и если в нем нет дефектов и посторонних включений, это один из самых прозрачных для видимого света материал.

Свойства алмаза обусловлены его необычной кристаллической структурой. Помимо чисто научного интереса необычные свойства алмаза делают его весьма полезным для технических целей. Этот драгоценный камень широко используется как абразив в промышленности, в промышленности, как режущий инструмент в хирургии и как теплоотвод в электронных приборах. Установлено, что алмазы, содержащие различные примеси, ведут себя как полупроводники. Но природные кристаллы слишком малы и дороги для практического применения. Сейчас положение в этой области исследования меняется. В течении последних лет специалисты разработали немало технологических приемов осаждения алмазных пленок толщина которых лежит от сотен ангстрем до нескольких миллиметров. Синтез алмазных и алмазоподобных пленок является актуальной задачей на сегодняшний день.

Тонкие алмазные пленки привлекают к себе все большее внимание благодаря таким уникальным свойствам, как чрезвычайно высокая твердость, высокая теплопроводность, прозрачность в широком оптическом диапазоне, большое удельное сопротивление. Кроме того, алмазные пленки со специально введенными примесями могут использоваться в качестве полупроводниковых материалов. В большинстве случаев специфические свойства пленок обусловливаются различными типами дефектов, многие из которых могут быть обнаружены с помощью ЭПР. Однако их идентификация сталкивается с огромными трудностями, поскольку микрокристаллиты в этих пленках, как правило, частично ориентированы. Более определенными в этом отношении оказываются полностью неупорядоченные поликристаллические алмазы, карбонадо.

ССМ изображение алмазоподобной пленки на поверхности стекла. Размер скана 286x280 нм.

Синтез углеродных алмазоподобных пленок ионным методом.

Метод ионно-лучевого осаждения

Одним из основных достоинств метода осаждения из ионных пучков является возможность получения веществ, не существующих в природе или находящихся при нормальных условиях в метастабильном состоянии (например, алмаз, карбид кремния).

Ранее такие материалы получали только при высоких давлениях и температуре или в сильных ударных волнах. Рост пленки при ионно-лучевом осаждении позволяет получать плотные кристаллические модификации, не прибегая к традиционным методам.

Существует большое количество веществ имеющих ряд устойчивых кристаллических модификаций. В каждом состоянии решетка будет обладать своим минимумом свободной энергии. Так для углерода существует несколько устойчивых модификаций соответствующих графиту, алмазу, металлическому углероду и другим плотным алмазоподобным структурам. В таком случае обеспечить ионам энергию, необходимого для преодоления потенциального барьера, отделяющего одну кристаллическую фазу от другой, можно простым регулированием потенциала подложки. Причем разброс ионов по энергии не должен превышать разность в высоте потенциальных барьеров, разделяющих две близких кристаллических модификации. Максимальная энергия падающих ионов определяется энергетическим порогом дефектообразования (для алмаза 60-80 эВ). С учетом возможной потери энергии падающих ионов и диапазон их энергетического распределения является важнейшим, но не единственным условием, т.к. механизм взаимодействия при синтезе материалов из энергетических ионных пучков сложен. Осаждение иона на поверхность сопровождается релаксационными колебаниями, разогревом поверхности за счет выделения энергии. Перечисленные эффекты, безусловно, не охватывают весь комплекс явлений сопровождающих процесс конденсации. Действие некоторых из них будет отрицательным для синтеза. Воздействовать на степень того или иного эффекта можно различными путями, например, изменять температуру подложки или условия подлета ионов к поверхности или одновременно с осаждением ионов облучать поверхность электронными или ионными пучками. В исследовании источником ионов является прототип космического электрореактивного двигателя (ЭРД), который в литературе называют ускорителем с анодным слоем и азимутальным дрейфом (УАД). В УАД разгон ионов происходит в квазинейтральной плазме, а потому могут быть получены более высокие, чем обычно, значения плотностей ионного тока. УАД обладает также рядом других достоинств: универсальностью к рабочему веществу, возможностью управления потока и т.д. Принципиальная схема источника показана на рис.1.

Со стороны анода в ускоритель поступает поток ионов, которые создаются вблизи анода путем ионизации нейтральных атомов. Металлические стенки ускорительного канала находятся под катодным потенциалом. Магнитная система создает в кольцевом зазоре ускорителя радиальное магнитное поле, постепенно спадающее в области анода и у среза ускорителя. Магнитное поле в основном имеет поперечную компоненту, а электрическое - продольную, поэтому такие системы называют еще ускорителями в скрещенных электрических и магнитных полях или ВЕ разрядом. В скрещенных В и Е полях на электроны действует сила Лоренца, вызывая их дрейф в азимутальном направлении. В результате, в кольцевом зазоре формируется двойной азимутально-однородный электрический слой. В этих условиях подвижность электронов поперек магнитного поля резко ограничена и внешнее электрическое поле совершает работу главным образом над ионами, ускоряя их вдоль оси системы.

Рис.1Источник ионов (ЭРД).1.-магнитопровод. 2.-анод. 3.-металлическая оболочка-катод. 4.-изолятор. 5.- канал для подвода рабочего вещества.
Ток и энергия пучка ускоренных частиц - это основные характеристики ускорителя любого типа, позволяющие определить производительность установки и возможность ее использования в том или ином производственном процессе или эксперименте. Цилиндр Фарадея - это наиболее распространенный прибор, используемый в качестве первичного эталонного прибора для измерения токов пучков заряженных частиц. При измерении тока, пучок частиц попадает на изолированный от окружающих предметов электрод, который задерживает частицы пучка и почти все вторичные частицы, образующиеся при столкновении частиц пучка с материалом электрода.

Основные достоинства рассматриваемого метода - высокая точность и возможность измерения весьма малых токов. К недостаткам цилиндра Фарадея относятся большие размеры и невозможность получить информацию о токе пучка, не нарушив его. Принципиальная схема цилиндра Фарадея показана на рис.2.

Рис.2 Зонд для измерения плотности тока.

Описание установки.

Схема используемой установки для напыления пленок показана на рис.3. В рабочий откачиваемый объем помещен источник ионов (1), формирующий поток ионизированного газа. Перед соплом источника крепится подложка (2) - пластина монокристалла кремния, нагреваемая пропусканием постоянного тока.

Рис.3 Схема установки.
Температура подложки определялась по температурной зависимости сопротивления кремня, измеренной в ходе предварительной работы. Характеристики ионного источника

При работе с ионным источником необходимо знать его характеристики. На рис.4,5 представлены зависимости плотности ионного тока в зависимости от расстояния до источника и угла в плоскости оси источника соответственно.

Рис.4 Зависимость плотности плотности тока пучка ионов от расстояния до источника.
Скорость роста пленок в подобных экспериментах малы. Помещая подложку в область с максимальной плотностью падающих частиц, увеличивается скорость осаждения. Зная геометрическое распределение потока можно оценить неоднородность толщины напыленной пленки или принять специальные меры для ликвидации этой неоднородности.
Рис.5 Зависимость плотности тока пучка ионов от угла.
СИНТЕЗ АЛМАЗНЫХ ПЛЁНОК ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫС ПОВЕРХНОСТЬЮ МОЛИБДЕНАОсобый интерес для синтеза алмазных плёнок представляют плазменные "тонкоплёночные" технологии, которые позволяют получать плёнки высокого качества [2,3]. Как правило, это вакуумные способы. В работах [4,5] описан плазменный метод синтеза алмазных поликристаллических плёнок при горении ацетилена в кислороде при атмосферном давлении.

Одна из важных проблем при получении покрытий данным способом связана со стабильностью свойств плёнки при нормальных условиях после её охлаждения (адгезия, например). Необходимо оптимизировать теплофизические условия синтеза, среди которых - понижение температуры подложки - одна из основных проблем. Установлено, что для синтеза плёнок оптимальная температура подложки (Мо, Si ): Тп = 1070-1300К [6 -14]. Тем не менее возникают вопросы, связанные с точностью измерения температуры поверхности. При использовании пирометрического двух-лучевого способа измерения необходимы поправки с учетом свойств пламени и оптических свойств изменяющейся растущей углеродной плёнки. Термопарный метод так же нуждается в поправках, связанными с теплофизическими свойствами подложки и способами крепления термопары. Известно, что пламенный метод характеризуется значительными тепловыми потоками ( > 2 Mвт/м2) и температура поверхности роста может существенно отличаться от измеряемой температуры подложки. Важно определить температуру поверхности на начальной стадии роста, когда монокристаллы растут свободно: перед тем, как вырастет сплошная плёнка. Такой подход позволит лучше понять механизм зарождения алмазной плёнки.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКАУстановка позволяет провести исследования при известных [6-14] условиях синтеза: температура подложки - от 300 до 1500 К; расход газов: 1 - 4 л /мин и их отношение: R = О2 /C2h3 - до 2.5; расстояние между ядром пламени и подложкой - более 0.5мм. На рис.1 изображены: горелка - 1 (диаметр сопла: 1мм) над поверхностью подложки - 2, помещенной в теплообменник - 3 с зажимами - 4; теплоизолятор - 5 между подложкой и теплообменником, укреплённым на координатнике - 6; термопара - 7 вставлена в тело подложки и поджата пружинами - 8; измерители расхода воды - 9 и газов -10. В качестве материала подложки использовали молибденовые цилиндры (высота 5 и диаметр 10 мм). Спай термопары прижимался к подложке с помощью пружин. Проведенное исследование с помощью теплового датчика показало, что температура поверхности выше температуры подложки в точке измерения не более чем на 17 К при Тп = 900 К, а ошибка в измерении температуры, связанная со способом крепления термопары в молибденовой подложке, не превышает 60К при температуре 900К и определялась по точкам плавления химически чистого олова и меди в качестве реперов в специальном эксперименте.

Поверхностный слой плёнок исследовался на спектрометре комбинационного рассеяния (КР) "TRIPLEMATE (SPEX - USA) и на сканирующем электронном микроскопе "Fillips". При электронно-графическом исследовании на просвечивающем микроскопе "Jeol - 100 СX" для калибровки использовали частицы золота и природные алмазы.

Рис. 1. Схема экспериментальной установки.

Литература1.     АЛМАЗ в электронной технике. Сборник статей. Отв. ред. В.Б. Квасков. Москва, Энергоатомиздат. 1990 г. 245стр.

2.     Рассеяние света в твёрдых телах. Под. ред. М. Кардона и Г. Гюнтеродта// Вып. 3, М.: Мир, 1985.

3.     В.А. Черепанов, А.С. Золкин, Б.А. Колесов, К.Т. Мурзахметов, B.И. Семёнов. АЛМАЗОПОДОБНЫЕ ГРАНУЛИРОВАННЫЕ ПЛЁНКИ НА КРЕМНИИ, ПОЛУЧЕННЫЕ ПРИ ГОРЕНИИ АЦЕТИЛЕНА.

http://www.nsu.ru/cgi-in/psj?fname=http://src.nsu.ru/win/journals/phys_stud/articles/paper5.html

www.coolreferat.com


Sititreid | Все права защищены © 2018 | Карта сайта